检索结果-南通市图书馆

Au(Ⅰ)-Catalyzed 6-endo-dig Cyclizations of Aromatic 1,5-Enynes to 2-(Naphthalen-2-yl)anilines Leading to Divergent Syntheses of Benzo[α]carbazole, Benzo[c,h]cinnoline and Dibenzo[i]phenanthridine Derivatives

引用

Chinese Journal of Chemistry 2022年第1期40卷 46-52页

作者： Jiayue Fu Bingbing Li Xiugui Wang qida liang Xiaoshi Peng Lu Yang Tao Wan Xinxiu Wang Bin Lin Maosheng Cheng Yongxiang Liu Key Laboratory of Structure-Based Drug Design and Discovery(Shenyang Pharmaceutical University) Ministry of EducationShenyangLiaoning 110016China Wuya College of Innovation Shenyang Pharmaceutical UniversityShenyangLiaoning 110016China Institute of Drug Research in Medicine Capital of China BenxiLiaoning 117000China Liaoning Kangboshi Pharmaceutical Co. LTDAnshanLiaoning 114100China

A gold(Ⅰ)-catalyzed 6-endo-dig cyclization of aromatic 1,5-enynes was developed to synthesize 2-(naphthalen-2-yl)anilines.The functional group tolerance of this cyclization was examined systematically and a possible mechanism was proposed.The derivatization of 2-(naphthalen-2-yl)aniline was carried out to facile access to benzo[α]carbazole,benzo[c,h]cinnoline and dibenzo[i]phenanthridine derivatives in a divergent way.

关键词： Gold Homogeneous catalysis 6-endo-dig Cyclization Heterocycles Divergent synthesis

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Device performance limit of monolayer SnSe_(2) MOSFET

引用

Nano Research 2022年第3期15卷 2522-2530页

作者： Hong Li Jiakun liang qida Wang Fengbin Liu Gang Zhou Tao Qing Shaohua Zhang Jing Lu College of Mechanical and Material Engineering North China University of TechnologyBeijing 100144China Beijing Key Laboratory of Long-life Technology of Precise Rotation and Transmission Mechanisms Beijing Institute of Control EngineeringBeijing 100094China State Key Laboratory of Mesoscopic Physics and Department of Physics Peking UniversityBeijing 100871China Collaborative Innovation Center of Quantum Matter Beijing 100871China Peking University Yangtze Delta Institute of Optoelectronics Nantong 226000China

Two-dimensional(2D)semiconductors are attractive channels to shrink the scale of field-effect transistors(FETs),and among which the anisotropic one is more advantageous for a higher on-state current(I_(on)).Monolayer(ML)SnSe_(2),as an abundant,economic,nontoxic,and stable two-dimensional material,possesses an anisotropic electronic nature.Herein,we study the device performances of the ML SnSe_(2) metal-oxide-semiconductor FETs(MOSFETs)and deduce their performance limit to an ultrashort gate length(L_(g))and ultralow supply voltage(V_(dd))by using the ab initio quantum transport simulation.An ultrahigh I_(on) of 5,660 and 3,145µA/µm is acquired for the n-type 10-nm-L_(g) ML SnSe_(2) MOSFET at V_(dd)=0.7 V for high-performance(HP)and low-power(LP)applications,respectively.Specifically,until L_(g) scales down to 2 and 3 nm,the MOSFETs(at V_(dd)=0.65 V)surpass I_(on),intrinsic delay time(τ),and power-delay product(PDP)of the International Roadmap for Device and Systems(IRDS,2020 version)for HP and LP devices for the year 2028.Moreover,the 5-nm-L_(g) ML SnSe_(2) MOSFET(at V_(dd)=0.4 V)fulfills the IRDS HP device and the 7-nm-L_(g) MOSFET(at V_(dd)=0.55 V)fulfills the IRDS LP device for the year 2034.

关键词： monolayer(ML)SnSe_(2) anisotropic metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) device performance limit ab initio transport simulation

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

TiB_2粒度对Ag-4%TiB_2复合材料电弧侵蚀行为的影响（英文）

引用

稀有金属材料与工程 2015年第11期44卷 2612-2617页

作者：王献辉杨浩梁淑华刘马宝刘启达西安理工大学陕西西安710048 西安交通大学陕西西安710049

为了研究不同粒度TiB_2对Ag-TiB_2复合材料电弧侵蚀行为的影响,通过机械球磨和粉末冶金的方法制备不同粒度的TiB_2增强Ag-4%TiB_2(质量分数)复合材料。对Ag-4%TiB_2复合材料的组织进行了分析,定量分析了TiB_2的分布。用TDR240A单晶炉改... 详细信息

为了研究不同粒度TiB_2对Ag-TiB_2复合材料电弧侵蚀行为的影响,通过机械球磨和粉末冶金的方法制备不同粒度的TiB_2增强Ag-4%TiB_2(质量分数)复合材料。对Ag-4%TiB_2复合材料的组织进行了分析,定量分析了TiB_2的分布。用TDR240A单晶炉改装的设备进行真空电弧侵蚀实验,采用扫描电子显微镜(SEM)表征了电弧侵蚀后试样表面形貌,测量了电弧侵蚀前后的质量损失,采用TDS-2014双通道数字示波器记录了每次电弧的持续时间,并且对电弧侵蚀机理进行了讨论。结果显示,随着TiB_2颗粒粒度的减小,TiB_2颗粒在Ag基体分布更均匀,Ag-4%TiB_2触头材料表现出小的质量损失,短的电弧持续时间,大的侵蚀区域以及浅的侵蚀坑。说明了细小TiB_2颗粒更能有效改善Ag-4%TiB_2触头材料的耐电弧侵蚀性能。

关键词：烧结扫描电子显微镜粉末冶金电弧侵蚀

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于多物理场耦合的高压电缆接头防爆装置端头部位结构的优化设计

引用

电气应用 2019年第4期38卷 86-92页

作者：仇炜崔江静黄顺涛刘真杨鑫钟其达梁振广东电网有限责任公司珠海供电局广东珠海519000 长沙理工大学电气与信息工程学院湖南长沙410114 广东安诺新材料科技有限公司广东佛山528000

针对现有的高压电缆接头防爆装置在端头部位普遍存在的应力集中问题,利用电场'温度场、流场和位移场耦合的有限元仿真方法,对高压电缆接头防爆装置的端头部位弯曲弧度进行了优化设计。基于三层迭代算法得到防爆腔体内部不同时刻气体流... 详细信息

针对现有的高压电缆接头防爆装置在端头部位普遍存在的应力集中问题,利用电场'温度场、流场和位移场耦合的有限元仿真方法,对高压电缆接头防爆装置的端头部位弯曲弧度进行了优化设计。基于三层迭代算法得到防爆腔体内部不同时刻气体流速、压强分布和腔体内壁承受的应力值。对不同曲率半径的弧形端头内壁承受的压强和应力进行仿真计算,准确得出内部端头处各连接点的最大应力值,从而选取承受应力最均衡的优化弧度,有效加强了高压电缆接头防爆装置的保护作用,降低了高压电缆接头爆炸对电缆线路造成的二次破坏。

关键词：高压电缆接头防爆装置结构优化多物理场耦合

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：