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3-D TCAD simulation study of the single event effect on 25 nm raised source-drain FinFET

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Science China(Technological Sciences) 2012年第6期55卷 1576-1580页

作者： qin junrui CHEN ShuMing CHEN JianJun School of Computer Science National University of Defense TechnologyChangsha 410073China

Using Technology Computer-Aided Design(TCAD) 3-D simulation,the single event effect(SEE) of 25 nm raised source-drain FinFET is *** on the calibrated 3-D models by process simulation,it is found that the amount of charge collected increases linearly as the linear energy transfer(LET) increases for both n-type and p-type FinFET hits,but the single event transient(SET) pulse width is not linear with the incidence LET and the increasing rate will gradually reduce as the LET *** impacts of wafer thickness on the charge collection are also analyzed,and it is shown that a larger thickness can bring about stronger charge *** reducing the wafer thickness could mitigate the SET effect for FinFET technology.

关键词： FinFET single event effect single event transient charge collection

The off-state gate isolation technique to improve ASET tolerance in differential analog design

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Science China(Technological Sciences) 2013年第10期56卷 2599-2605页

作者： HU ChunMei CHEN ShuMing CHEN JianJun qin junrui College of Computer National University of Defense Technology

A novel off-state gate RHBD technique to mitigate the single-event transient(SET)in the differential data path of analog circuit is demonstrated in this *** results present that this off-state gate technique could exploit charge sharing in differential circuits and reduce differential mode voltage perturbation *** is indicated that this technique is more effective to mitigate SET than the differential charge cancellation(DCC)technique with less penalty.

关键词： charge sharing ASET off-state gate layout mitigation technique

The effect of P^+ deep well doping on SET pulse propagation

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Science China(Technological Sciences) 2012年第3期55卷 665-672页

作者： qin junrui CHEN ShuMing LIU BiWei LIU FanYu CHEN JianJun School of Computer Science National University of Defense TechnologyChangsha 410073China

The change of P+ deep well doping will affect the charge collection of the active and passive devices in nano-technology,thus affecting the propagated single event transient(SET) pulsewidths in *** propagated SET pulsewidths can be quenched by reducing the doping of P+ deep well in the appropriate *** study shows that the doping of P+ deep well mainly affects the bipolar amplification component of SET current,and that changing the P+ deep well doping has little effect on NMOS but great effect on PMOS.

关键词： P+ deep well SET pulsewidths SET propagation quenching charge collection

Research on single event transient pulse quenching effect in 90 nm CMOS technology

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Science China(Technological Sciences) 2011年第11期54卷 3064-3069页

作者： qin junrui CHEN ShuMing LIU BiWei CHEN JianJun LIANG Bin LIU Zheng School of Computer Science National University of Defense Technology Changsha 410073 China

Since single event transient pulse quenching can reduce the SET(single event transient) pulsewidths effectively,the charge collected by passive device should be maximized in order to minimize the propagated *** the perspective of the layout and circuit design,the SET pulsewidths can be greatly inhibited by minimizing the layout spacing and signal propagation delay,which sheds new light on the radiation-hardened ICs(integrated circuits) *** show that the SET pulsewidths of propagation are not in direct proportion to the LET(linear energy transfer) of incident particles,thus the defining of the LET threshold should be noted when SET/SEU(single event upset) occurs for the radiation-hardened *** capability of anti-radiation meets the demand when LET is high but some soft errors may occur when LET is ***,radiation experiments should be focused on evaluating the LET that demonstrates the worst response to the circuit.

关键词： SET propagation radiation hardening by design charge collection charge share quenching

Device-physics-based analytical model for SET pulse in sub-100 nm bulk CMOS Process

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Science China(Information Sciences) 2012年第6期55卷 1461-1468页

作者： qin junrui,CHEN ShuMing,LIU BiWei,LIANG Bin & CHEN JianJun School of Computer Science,National University of Defense Technology,Changsha 410073,China 1. School of Computer Science National University of Defense Technology Changsha 410073 China

Through revising the process of charge collection for reversed drain-bulk junction,a bias-dependent SPICE model is proposed which includes the bipolar amplification effect that cannot be ignored in *** model can capture the plateau effect,and produce current and voltage pulse shapes and widths that are consistent with TCAD *** the case of connecting load,it is still *** combination and sequential logic circuits,the SET pulsewidths and LET upset threshold from SPICE model are consistent with TCAD simulations.

关键词： SET SEU SPICE modeling parasitic bipolar transistor

25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性

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国防科技大学学报 2012年第5期34卷 127-131页

作者：李达维秦军瑞陈书明国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电... 详细信息

基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电路中传播的SET(Single Event Transient)脉冲宽度。对于最佳工艺拐角,离子轰击后收集的电荷量可以降低约38%,而在最坏工艺拐角下,收集的电荷量则会增加79%。这些结论对FinFET工艺下的SET减缓及抗辐射加固设计提供了一种新的思路。

关键词：鱼鳍型场效应晶体管单粒子效应工艺参数相关性电荷收集

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一种新型净烟控温灸疗器的研发

中国医学装备 2024年第2期21卷 200-203页

作者：秦小静秦军瑞赵金宝闫浩森魏自宇任春光河北中医药大学科技处石家庄050000 石家庄沣榕科技有限公司石家庄050000

研发一种基于艾灸治疗中热、光、烟因素的新型净烟控温灸疗器,由上筒、中筒和下筒3部分构成,集调温、集灰、吸附、防烫伤等多种功能于一体,各部位均可拆卸,使用便捷,便于临床治疗和保健,能够克服艾灸过程中无法调节灸疗温度、容易烫伤... 详细信息

研发一种基于艾灸治疗中热、光、烟因素的新型净烟控温灸疗器,由上筒、中筒和下筒3部分构成,集调温、集灰、吸附、防烫伤等多种功能于一体,各部位均可拆卸,使用便捷,便于临床治疗和保健,能够克服艾灸过程中无法调节灸疗温度、容易烫伤的问题,减少艾烟气味和烟尘对医患及诊疗环境的刺激和污染,使灸疗更加方便、高效和安全。

关键词：灸疗疗效灸疗器

基于全生命周期理论的新型净烟控温灸疗器临床管理模型构建与应用效果研究

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中国医学装备 2024年第6期21卷 172-177页

作者：任春光秦小静秦军瑞赵金宝闫浩森魏自宇李斌石家庄沣榕科技有限公司研发中心石家庄050000 河北中医药大学科技处石家庄050000 石家庄平安医院外科石家庄050000

目的:基于全生命周期理论构建新型净烟控温灸疗器临床管理模型,探讨其对新型净烟控温灸疗器的管理效果。方法:新型净烟控温灸疗器临床管理模型由基础层、接入层、服务层、数据层和应用层架构基于全生命周期理论构建。选取2021-2022年石... 详细信息

目的:基于全生命周期理论构建新型净烟控温灸疗器临床管理模型,探讨其对新型净烟控温灸疗器的管理效果。方法:新型净烟控温灸疗器临床管理模型由基础层、接入层、服务层、数据层和应用层架构基于全生命周期理论构建。选取2021-2022年石家庄平安医院临床在用的18台新型净烟控温灸疗器,将2021年期间的18台新型净烟控温灸疗器采用常规新型净烟控温灸疗器管理方案(简称常规管理模式)管理,将2022年期间18台新型净烟控温灸疗器采用全生命周期管理模型(简称全生命周期管理模式)管理。对比两种管理模式新型净烟控温灸疗器的管理效果和相关使用管理人员满意度。结果:采用全生命周期管理模式的新型净烟控温灸疗器管理质量、控温效果、控烟效果和艾烟净化效果平均评分分别为(89.37±3.48)分、(93.53±4.26)分、(0.13±0.04)分和(0.11±0.03)分,管理质量和控温效果平均评分高于常规管理模式,控烟效果和艾烟净化效果平均评分低于常规管理模式,差异有统计学意义(t=11.744、14.850、11.266、24.593,P<0.05);采用全生命周期管理模式使用管理新型净烟控温灸疗器工程师、医护人员和患者的满意度评分分别为(95.69±6.62)分、(96.82±5.87)分和(95.34±5.14)分,均高于常规管理模式,差异有统计学意义(t=9.334、19.549、33.694,P<0.05)。结论:应用基于全生命周期理论的新型净烟控温灸疗器临床管理模型对新型净烟控温灸疗器进行管理,可有效提高设备管理质量,提升新型净烟控温灸疗器的控温效果,提升相关使用人员满意度。

关键词：全生命周期管理模型新型净烟控温灸疗器设备管理流程控烟效果

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黏土结合水起始剪切力对非达西渗流的影响

水资源与水工程学报 2017年第6期28卷 200-203,208页

作者：许增光冯上鑫柴军瑞覃源陈玺黎康平西安理工大学西北旱区生态水利工程国家重点实验室培育基地陕西西安710048

黏土结合水对黏土的流变、膨胀以及渗透等有显著影响,了解黏土结合水性质变化对黏土研究具有重要意义。基于黏土双电层理论,由黏土微电场推导黏土结合水抗剪强度与结合水到黏土颗粒距离的函数关系,并以此解释黏土非达西渗流的机理。结... 详细信息

黏土结合水对黏土的流变、膨胀以及渗透等有显著影响,了解黏土结合水性质变化对黏土研究具有重要意义。基于黏土双电层理论,由黏土微电场推导黏土结合水抗剪强度与结合水到黏土颗粒距离的函数关系,并以此解释黏土非达西渗流的机理。结果表明:黏土结合水具有类似非牛顿液体性质,双电层中每一处结合水存在"起始剪切力",当水压力超过结合水的"起始剪切力"时,结合水将发生移动;黏土非达西渗流存在起始水力梯度,且起始水力梯度与结合水的"起始剪切力"呈线性关系;当黏土开始发生渗流时,结合水在孔隙中流速呈曲线分布,流量与水力梯度呈非线性关系,黏土渗流特征曲线出现下凹型非线性曲线。

关键词：黏土结合水双电层理论起始剪切力非达西渗流