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  • 1 篇 肖特基势垒二极管

机构

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作者

  • 1 篇 王传敏
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  • 1 篇 冯幼明
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高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块
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电力电子 2011年 第5期9卷 48-50,14页
作者： Daniel Domes Christoph Messelke peter kanschat 冯幼明 王传敏 Infineon Technologies AG Warstein 北京微电子技术研究所
减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前,英飞凌公司向市场推出了SiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟,该器件具有令人信服的... 详细信息
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