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Silicon and silicon nitride photonic circuits for spectroscopic sensing on-a-chip [Invited]

Photonics Research 2015年第5期3卷 47-59页

作者： Ananth Z.Subramanian Eva Ryckeboer Ashim Dhakal Frédéric Peyskens Aditya Malik Bart Kuyken Haolan Zhao Shibnath Pathak Alfonso Ruocco Andreas De Groote Pieter Wuytens Daan Martens Francois Leo Weiqiang Xie Utsav Deepak Dave Muhammad Muneeb Pol Van Dorpe Joris Van Campenhout Wim Bogaerts peter bienstman Nicolas Le Thomas Dries Van Thourhout Zeger Hens Gunther Roelkens Roel Baets Photonics Research Group INTEC Department Ghent University-imec Centre for Nano and Biophotonics Ghent University University of California Department of Molecular Biotechnology Ghent University imec Kapeldreef 75 Physics and Chemistry of Nanostructures Ghent University

There is a rapidly growing demand to use silicon and silicon nitride（Si3N4） integrated photonics for sensing applications, ranging from refractive index to spectroscopic sensing. By making use of advanced CMOS technology,complex miniaturized circuits can be easily realized on a large scale and at a low cost covering visible to mid-IR wavelengths. In this paper we present our recent work on the development of silicon and Si3N4-based photonic integrated circuits for various spectroscopic sensing applications. We report our findings on waveguide-based absorption, and Raman and surface enhanced Raman spectroscopy. Finally we report on-chip spectrometers and on-chip broadband light sources covering very near-IR to mid-IR wavelengths to realize fully integrated spectroscopic systems on a chip.

关键词： Invited SOI mode

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