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采用电子衍射技术获得的二维碳原子器件

集成电路应用 2006年第8期23卷 26-26页

作者： peter singer Semiconductor International

佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）与法国国家科学研究中心（Centre National de la Recherche Scientifique，CNRS）的研究人员协作，采用石墨薄片，即所谓的“二维碳原子薄片”，制作出晶体管、环形器件和电路，目... 详细信息

佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）与法国国家科学研究中心（Centre National de la Recherche Scientifique，CNRS）的研究人员协作，采用石墨薄片，即所谓的“二维碳原子薄片”，制作出晶体管、环形器件和电路，目前还处于原理验证阶段。研究者们最终希望使这种厚度小于10个原子的二维碳原子薄片成为电子系统创新技术的基础，把电子作为电子波而不是粒子进行控制，就像光子系统控制光波一样。佐治亚理工学院物理分校的Walt de Heer教授说：“我们希望制作一种与硅基电子器件截然不同的器件，因此这是一种全新的电子器件制作方式。”“我们的最终目标是采用电子衍射技术而不是电子扩散技术，获得集成电子结构。采用这种方法可以制作具有极高效率和极低功耗的极小型器件。”

关键词：二维碳原子器件电子衍射技术法国国家科学研究中心 National 制作方式石墨薄片系统控制

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磁学是实现高温超导的关键

集成电路应用 2006年第10期23卷 28-28页

作者： peter singer Semiconductor International

工作于美国商务部国家标准和科技机构（National Institute of Standards and Technology，NIST）中子研究中心（NCNR）科学家联合田纳西大学（UT）和橡树岭国家实验室（Oak Ridge National Laboratory，ORNL）的物理学家们发表报告，... 详细信息

工作于美国商务部国家标准和科技机构（National Institute of Standards and Technology，NIST）中子研究中心（NCNR）科学家联合田纳西大学（UT）和橡树岭国家实验室（Oak Ridge National Laboratory，ORNL）的物理学家们发表报告，有力证明了磁的波动是配对电子通用机理的关键，能使高温超导体中的电流无阻抗通过。

关键词：高温超导体 Technology 磁学国家实验室国家标准研究中心物理学家商务部

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用单碳纳米管制作环型振荡器

集成电路应用 2006年第9期23卷 30-30页

作者： peter singer Semiconductor International

IBM的研究人员围绕一个单碳纳米管（CNT）分子制作了第一个完整的电子集成电路：速度比以前论证的采用多纳米管的电路几乎快100万倍的环型振荡器。尽管它仍然比现在采用硅芯片得到的速度慢，但是IBM小组相信新的纳米制造工艺最终将挖掘... 详细信息

IBM的研究人员围绕一个单碳纳米管（CNT）分子制作了第一个完整的电子集成电路：速度比以前论证的采用多纳米管的电路几乎快100万倍的环型振荡器。尽管它仍然比现在采用硅芯片得到的速度慢，但是IBM小组相信新的纳米制造工艺最终将挖掘出CNT电子学的超性能潜力。IBM Research的科学与技术部副经理***说“碳纳米管晶体管具有超越当今硅器件的潜力。然而，科学家们至今一直关注于制作和优化单个碳纳米管晶体管。目前我们能评价在整个电路中碳纳米管电子学的潜力，这是通往与现存芯片制作技术集成的关键步骤。”

关键词：碳纳米管晶体管振荡器制作环型 Research 集成电路纳米制造工艺 IBM 电子学研究人员

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Sematech关于锗材料的研究计划

集成电路应用 2006年第7期23卷 27-27页

作者： peter singer Semiconductor International

Sematech公司制定了一项计划，研充MOSFET沟道Si（硅）的替代材料。Sematech公司前道工艺（FEP）部门将重点研究SiGe和Ge作为沟道材料的可用性，并重视工艺技术的开发，希望在不牺牲可靠性的前提下增强迁移率。

关键词：替代材料 MOSFET SiGe tech公司工艺技术 Sema 锗公司制可用性迁移率

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日本制造商公布存储器/晶体管技术

集成电路应用 2007年第10期24卷 28-28页

作者： peter singer Semiconductor International

几家日本公司在6月12-16日于日本Kyoto举行的2007年VLSI技术与电路研讨会上，发布了多项重大技术进展：Toshiba公布一种在现有工艺基础上提高芯片密度的3-D单元阵列技求Fujitsu宣布推出一种新型的低功耗／高性能45nm平台，而Renesas Tec... 详细信息

几家日本公司在6月12-16日于日本Kyoto举行的2007年VLSI技术与电路研讨会上，发布了多项重大技术进展：Toshiba公布一种在现有工艺基础上提高芯片密度的3-D单元阵列技求Fujitsu宣布推出一种新型的低功耗／高性能45nm平台，而Renesas Technology则首次展示一种用于微处理器和片上系统（SoC）的低成本高性能晶体管技术。

关键词： VLSI技术日本公司晶体管 Technology 存储器制造商 Fujitsu Toshiba

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45nm节点清洗/光刻胶去除的挑战

集成电路应用 2007年第8期24卷 24-24页

作者： peter singer Semiconductor international

在今年四月份于德州奥斯汀举行的表面预处理与清洗会议（SurfacePreparationandClean—***）上，来自IMEC超级清洗工艺项目的项目经理PaulMetens列举了45和32nm节点所面临的清洗挑战。他认为最大的清洗挑战包括：在微粒去除和损伤之间... 详细信息

在今年四月份于德州奥斯汀举行的表面预处理与清洗会议（SurfacePreparationandClean—***）上，来自IMEC超级清洗工艺项目的项目经理PaulMetens列举了45和32nm节点所面临的清洗挑战。他认为最大的清洗挑战包括：在微粒去除和损伤之间取得平衡；尽可能地减小在前段工艺（FEOL）应用中光刻胶去除和清洗所造成的硅损失：金属栅叠层的电化腐蚀问题；

关键词：清洗工艺光刻胶节点表面预处理项目经理腐蚀问题金属栅硅

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制作金属栅的新方法

集成电路应用 2006年第10期23卷 29-29页

作者： peter singer Semiconductor International

先进的栅堆垛技术的趋势与传统方法明显不同，传统方法中由氧化硅或氮氧化硅（SiON）制成的栅介质上端是重掺杂多晶硅的栅电极。虽然这些材料制作方便，但是换成金属栅和高k栅介质能在高晶体管速度和低电流泄漏方面获得更好的性能。

关键词：金属栅制作传统方法氮氧化硅电流泄漏栅电极多晶硅重掺杂

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新工艺减少栅泄漏

集成电路应用 2006年第5期23卷 21-21页

作者： peter singer Semiconductor International

肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的... 详细信息

肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。

关键词：泄漏高k栅介质工艺快速热处理研究人员晶体管可靠性

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IITC预览:用新材料降低RC延迟

集成电路应用 2007年第6期24卷 31-31页

作者： peter singer Semiconductor International

6月4日到6日，2007IEEE国际互连会议（IITC）将在旧金山机场的Hyatt Regency旅馆举行。在会议组织者提供的部分预印文章中有一些有趣的报导．它们全面讨论了怎样用钌、铑、锰和碳纳米管（CNT）等“新”材料来进一步降低导致RC时间延迟... 详细信息

6月4日到6日，2007IEEE国际互连会议（IITC）将在旧金山机场的Hyatt Regency旅馆举行。在会议组织者提供的部分预印文章中有一些有趣的报导．它们全面讨论了怎样用钌、铑、锰和碳纳米管（CNT）等“新”材料来进一步降低导致RC时间延迟的电阻和电容值．RC延迟是限制芯片运行速度的关键因素。

关键词： RC延迟新材料预览会议组织运行速度时间延迟碳纳米管旧金山