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Fault current Limitation with Superconducting YBcO Thin Films

Tsinghua Science and Technology 2003年第3期8卷 334-341页

作者： c.Villard c.peroz consortium of Research for the Emergence of Advanced Technologies(cRETA)and center of Research on Very Low Temperatures(cRTBT) National Center for Scientific Research(CNRS)25 Avenue des MartyrsBP 166X GrenobleFrance-European CommunityConsortium of Research for the Emergence of Advanced Technologies(CRETA)and Center of Research on Very Low Temperatures(CRTBT)National Center for Scientific Research(CNRS)25 Avenue des MartyrsBP 166X GrenobleFrance-European Community

The behavior of YBcO/metal bilayers under transport currents was explored in the framework of fault current limitation (FcL). Properties of the superconducting-normal transition were first studied phenomenologically during sweep current experiments. For current rates higher than 500 A/s, the transition into the normal state was based on non-thermal phenomena and was characterized by a flux creep regime ended by a jump into the normal state. At lower sweep rates, a total diversion of the current in the metallic shunt was observed for temperatures higher than 85K. In this regime, a partial recovery of the superconducting state took place due to a finite thermal resistance between the superconducting and the metallic films. These two properties of partial diversion into the shunt and of fast switching for a quick rise of the current during a default were exploited for current limitation at 77 K. FcL experiments at 50 Hz show that YBcO/Au bilayers limit the current in about 1ms at a value of 2. 5/c by developing electrical fields as high as 3kV/m. Moreover, a recovery of the zero resistance state could occur under rated mode. A straightforward application of this property would be the transformer connection. Finally, results on Dc current limitation and recovery under nominal mode were presented for the first time.

关键词： fault current limiters thin films YBcO dissipation superconductors

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纳米光子结构软膜紫外光固化纳米压印(英文)

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纳米技术与精密工程 2006年第3期4卷 225-229页

作者： SHI J WANG Z M BAO K peroz c BELOTTI M XU L P LUO c X SUN M H ZHANG B JI H OUYANG Q cHEN Y 北京大学物理学院北京100871 法国巴黎高等师范学院巴黎75005 法国国家科研中心光子与纳米结构实验室马库锡91460

紫外光固化纳米压印是实现纳米结构批量复制的一种新技术．其特点是低成本和高分辨,而且可以达到极高的套刻精度．为了得到大面积图案的均匀复制,可用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制备透光的压印软模板．其母版图案可由高分辨率电子束曝光和反... 详细信息

紫外光固化纳米压印是实现纳米结构批量复制的一种新技术．其特点是低成本和高分辨,而且可以达到极高的套刻精度．为了得到大面积图案的均匀复制,可用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制备透光的压印软模板．其母版图案可由高分辨率电子束曝光和反应离子刻蚀的方法在硅片基底上获得,然后用浇注的方法将图案转移到PDMS上．本实验特别发展了紫外光固化纳米压印适用于软膜压印的双层膜图型转移技术．该双层膜由廉价的光胶和聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)构成．对光胶层的压印可用普通的光学曝光仪实现．然后再将图案用反应离子刻蚀的方法转移到PMMA层中．为了证明方案的可行性,在两种不同材料的半导体基片上压印了三角晶格的光子晶体和准晶结构的图案,并用剥离的方法将它们转移到金属薄膜上,最后成功地进行了硅片刻蚀实验．相信这一纳米制做方法对大面积纳米光子结构和光学集成芯片的制造是普遍适用的．

关键词：纳米压印纳米加工纳米光子学

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Holographic planar lightwave circuit for on-chip spectroscopy

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Light(Science & Applications) 2014年第1期3卷 85-91页

作者： Giuseppe calafiore Alexander Koshelev Scott Dhuey Alexander Goltsov Pavel Sasorov Sergey Babin Vladimir Yankov Stefano cabrini christophe peroz aBeam Technologies HaywardCA 94541USA Polytechnic University of Turin 10129 TurinItaly Nano-Optic Devices Santa ClaraCA 95054USA Moscow Institute of Physics and Technology Moscow 141700Russia The Molecular Foundry Lawrence Berkeley National LaboratoryBerkeleyCA 94720USA

computer-generated planar holograms are a powerful approach for designing planar lightwave circuits with unique *** planar holograms in particular can encode any optical transfer function with high customizability and is compatible with semiconductor lithography techniques and nanoimprint ***,we demonstrate that the integration of multiple holograms on a single device increases the overall spectral range of the spectrometer and offsets any performance decrement resulting from *** validation of a high-resolution spectrometer-on-chip based on digital planar holograms shows performance comparable with that of a *** maintaining the total device footprint below 2 cm2,the newly developed spectrometer achieved a spectral resolution of 0.15 nm in the red and near infrared range,over a 148 nm spectral range and 926 *** approach lays the groundwork for future on-chip spectroscopy and lab-on-chip sensing.

关键词： digital planar holograms integrated optics nanofabrication nanophotonics spectrometer

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