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Synthesis and Characterization of GaN Rods Prepared by Ammono-Chemical Vapor Deposition
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Advances in Chemical Engineering and Science 2012年 第2期2卷 292-299页
作者： Gregorio Guadalupe Carbajal Arízaga Karina Viridiana Chávez Hernández Nicolás Cayetano Castro Manuel Herrera Zaldivar Rafael García Gutiérrez oscar edel contreras lópez Centro de Investigación en Física Universidad de Sonora Hermosillo México Centro de Nanociencias y Nanotecnología Universidad Nacional Autónoma de México Ensenada México Departamento de Química Universidad de Guadalajara Guadalajara México Instituto Potosino de Investigación Científica y Tecnológica (IPICYT) División de Materiales Avanzados (LINAN) San Luis Potosí México
GaN rods were deposited by chemical vapor deposition (CVD) onto sapphire (0 0 0 1) and amorphous quartz. The reactive Ga species in vapor the phase was formed with NH4Cl and gallium. The unidirectional growth was cata... 详细信息
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