检索结果-南通市图书馆

Crystallization and Morphology of Gold Thin Films on Unpolished Si（100） Substrates after Furnace and Flame Annealing

引用

材料科学与工程（中英文版） 2010年第1期4卷 1-10页

作者： Luis De Los Santos v Angel Bustamante D. Lizbet Leon F. Thanos Mitrelias Adrian Ionescu JustinianoQuispe M. Crispin H. W. Barnes Cavendish Laboratory University of Cambridge J. J Thomson .Av. Cambridge CB3 0HE United Kingdom Facultad de Ciencias Fisicas Universidad Nacional Mayor de San Marcos Ap. Postal 14-0149 Peru

A crystallization and surface evolution study of Au thin film on unpolished Si(100) substrates after annealing at different temperatures above the eutectic point of the Au/Si system are reported. Samples were prepared by conventional evaporation of gold in high vacuum (10-7mbar) environment on substrates at room temperature. Thermal treatments were performed by both furnace and flame annealing techniques. After evaporation, some Au crystallizes were textured in the (111) direction. However, most of the thin film was amorphous and gold silicides such as Au7Si and Au3Si were also found. This crystallization can be achieved by furnace annealing or flame annealing in spite of the differences between their cell parameters. Annealing overcomes the mismatch between the cell parameters arranging the Au layers in the (111) direction and forming gold islands on the surface. Crystallization of gold strongly depends on both, the temperature and time of annealing. Epitaxial formation of Au can be easily reached after some minutes in the case of flame annealing. The epitaxial temperature for Au/Si(100) should be around the eutectic (363 oC). Above the eutectic point, the Au layer melt, the melting starts most likely from grain boundaries and from the interface allowing the islands separate even further and change shapes until hexagonal geometries. The mean crystallite diameters grow up to a maximum mean size of around 90 nm. The free activation energy for grain boundary migration above the eutectic temperature is 0.09 ev. Therefore the type of the silicon substrate changes the mechanism of diffusion and growth of crystallites during annealing of the Au/Si system.

关键词：退火工艺薄膜形貌热处理炉硅衬底黄金火焰结晶糙米

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级

引用

山东大学学报（自然科学版） 1998年第3期33卷 357-360页

作者：程兴奎王卿璞马洪磊 v.W.L.Chin T.Osotchan T.L.Tansley M.R.vaughan G.J.Griffiths 山东大学光电材料与器件研究所

在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由... 详细信息

在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中，靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰，且发光强度随温度的增加而变化．这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起．由此确定ＤＸ中心有四个能级，其激活能分别为０．３５ｅＶ，０．３７ｅＶ，０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ．

关键词：掺硅 DX能级光致发光谱半导体镓铝砷化合物

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：