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Phonon transmission of vacancy disordered armchair silicene nanoribbon

Optoelectronics Letters 2021年第8期17卷 454-458页

作者： Ashraful Hossain Howlader Md.Sherajul Islam naim ferdous School of Physics The University of SydneyNew South Wales 2006Australia Department of Electrical and Electronic Engineering Khulna University of Engineering and TechnologyKhulna 9203Bangladesh Department of Electrical and Electronic Engineering Bangabandhu Sheikh Mujibur Rahman Science and Technology UniversityGopalganj 8100Bangladesh

This work demonstrates the atomic vacancy effects on the phonon properties of armchair silicene nanoribbon in a step by step process for the first time.The phonon localization effect figures out the fact that vacancies cause to high-energy phonons become localized,whereas low-energy phonons can easily transmit.The vacancy reduces high-energy phonon transmission severely compared to low-energy phonon.It is also found from phonon density of states that high-frequency phonons soften towards the low-frequency region.The simulated phonon bandstructure verifies that most of the phonon branches transform to a nondegenerate state from a degenerate state and shifted toward a lower frequency regime due to the presence of vacancies.The overall consequences of atomic vacancies on the phonon thermal conductance disclose the reality that only a few atomic vacancies result in a vital reduction of phonon thermal conductance.In addition,the entropy of the disordered system is investigated.

关键词： phonon vacancy disordered

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