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光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）
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湘潭大学学报（自然科学版） 2018年 第4期40卷 115-120页
作者： Brücken Erik Gadda Akiko Ott Jennifer naaranoja tiina Martikainen Laura Karadzhinova-Ferrer Aneliya Kalliokoski Matti Golovlova Maria Kirschenmann Stefanie Litichevskyi Vladyslav Petrine Ana Luukka Panja Harkonen Jaakko 赫尔辛基物理研究所(HIP) 芬兰赫尔辛基FI-00014 罗德波士克维奇研究所(RBI) 克罗地亚萨格勒布10000 艾得维堪公司 芬兰艾斯堡FI-02150 斯拜得康公司 芬兰艾斯堡FI-02150
该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们... 详细信息
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