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Electronic Transport Through N24B24 Molecular Junction

Chinese Journal of Chemical Physics 2016年第2期29卷 223-228,I0002页

作者： Mojtaba Yaghobi mohammad ali ramzanpour mohammadReza Nyazian 伊朗伊斯兰自由大学阿莫尔

We have investigated the electron transport properties of a N24B24 molecule coupled to two metallic contacts with a combination of GW approximation and the non-equilibrium Green＇s- function technique. The calculations indicate that the four and three resonant tunneling peaks are seen for the density of states （DOS） curves in the cases of single and multiple atomic contacts, respectively. The off state and negative differential resistance （NDR） effect are observed in the I-V characteristics of the N24B24 molecule. The NDR behavior is also observed in voltages of about 354.5, 354, 354.6, and 354.3 V for one, four, six, and eight atomic contacts. Also, the I-V characteristics of N24B24 are in off state at low voltages that is independent of the contact types. The current contact types and indicate that N24B24 molecule curves against the gate voltage depend on behaves as a semiconductor.

关键词： Boron Nitride Cage Electronic transport Non-equilibrium Green's function

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