检索结果-南通市图书馆

Growth of GaN Thin Film by Pulsed Laser Deposition and Its Application on Ultraviolet Detectors

材料科学与工程（中英文A版） 2011年第3X期1卷 336-341页

作者： Dadi Rusdiana Maman Budiman mochamad barmawi Department of Physics Indonesia University of Education Jl. DR. Setia Budi 229 Bandung Indonesia Laboratory of Electronic Material Physics Department of Physics Bandung Institute of Technology Jl. Ganesha 10 BandungIndonesia

Crystalline GaN films were grown on (0001) sapphire substrates in atmospheres of nitrogen by pulsed laser deposition. The properties of GaN thin films were improved by increasing the growth temperature to 680 oC and the nitrogen flow rate during growth to 150 sccm. The GaN film grown at 680 oC in 100 sccm of nitrogen had a wurtzite structure with (0002) and (0004) orientations. The GaN film had an n-type carrier concentration of 1.5 × 1019 cm-3 and the electron mobility of 19.05 cm2/V·sec. The ultraviolet detector based on GaN grown on (0001) sapphire was fabricated and characterized. The current responsivity increase at λ >310 nm and remain reasonably flat for photons with wavelength from 347 nm to 366 nm.

关键词： GaN薄膜脉冲激光沉积紫外探测器薄膜生长应用纤锌矿结构载流子浓度电子迁移率

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：