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Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of Gaussiandoped strained-Si-on-insulator MOSFETs

引用

Journal of Semiconductors 2014年第8期35卷 52-59页

作者： Gopal Rawat Sanjay kumar Ekta Goel mirgender kumar Sarvesh Dubey S.Jit Department of Electronics Engineering Indian Institute of Technology (BHU) Varanasi India Faculty of Electronics and Communication Engineering Shri Ramswaroop Memorial University Lucknow-Deva Road India

This paper presents the analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of short- channel fully-depleted （FD） strained-Si-on-insulator （SSOI） MOSFETs having vertical Gaussian-like doping pro- file in the channel. The subthreshold current and subthreshold swing have been derived using the parabolic approx- imation method. In addition to the effect of strain on silicon layer, various other device parameters such as channel length （L）, gate-oxide thickness （tox）, strained-Si channel thickness （ts_Si）, peak doping concentration （Np）, project range （Rp） and straggle （op） of the Gaussian profile have been considered while predicting the device characteris- tics. The present work may help to overcome the degradation in subthreshold characteristics with strain engineering. These subthreshold current and swing models provide valuable information for strained-Si MOSFET design. Ac- curacy of the proposed models is verified using the commercially available ATLASTM, a two-dimensional （2D） device simulator from SILVACO.

关键词： strained-Si-on-insulator (SSOI) Poisson's solution short-channel-effects

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