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Chemical Sensitivity of Luminescent Epitaxial Surface InP Quantum Dots
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Journal of Sensor Technology 2013年 第1期3卷 1-5页
作者： Roberta De Angelis mauro casalboni Ivan Colantoni Liliana D’Amico Fabio De Matteis Fariba Hatami William T. Masselink Paolo Prosposito Department of Physics Humboldt University Berlin Germany INSTM Research Unit of the University of Roma “Tor Vergata” Rome Italy Physics Department University of Rome “Tor Vergata” Rome Ital Physics Department University of Rome “Tor Vergata” Rome Italy
Surface InP quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy on In0.48Ga0.52P buffer layer lattice matched to GaAs substrate shows a broad-band near-infrared photoluminescence ranging from 750 to 865 nm depende... 详细信息
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