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Growth temperature dependence of crystal symmetry in Nb-doped BaTiO_(3) thin films

Journal of Advanced Dielectrics 2013年第2期3卷 27-32页

作者： Young Heon Kim Xubing Lu marco diegel Roland Mattheis Dietrich Hesse Marin Alexe Max Planck Institute of Microstructure Physics Weinberg 2 D-06120 HalleGermany Korea Research Institute of Standards and Science(KRISS)Daejeon 305-340 Korea South China Academy of Advanced Optoelectronics South China Normal University Guangzhou 510006P.R.China Institute of Photonic Technology(IPHT)D-07702 Jena Germany

Growth temperature effects on the microstructure of Nb-doped BaTiO_(3) thin films of the composition BaTi_(0.98)Nb_(0.02)O_(3) are studied using X-ray diffraction and transmission electron microscopy(TEM).Reciprocal space maps and electron diffraction patterns show that the a-axis lattice parameter increases and the c-axis parameter decreases with increasing growth temperature,indicating a decrease of ***-field TEM images show low and high densities of threading defects in films grown at low and high temperatures,*** observations are discussed in terms of a hindering of the cubic-to-tetragonal phase transition by a high defect density and a high unit cell volume.

关键词： Nb-doped BaTiO_(3) crystal symmetry threading defect X-ray diffraction transmission electron microscopy

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