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Bandgap energy determination of In As Sb epilayers grown by molecular beam epitaxy on Ga As substrates

Progress in Natural Science:materials International 2019年第4期29卷 472-476页

作者： K.murawski E.Gomó?ka m.kopytko K.Grodecki K.michalczewski ?.Kubiszyn W.Gawron P.martyniuk A.Rogalski J.Piotrowski Institute of Applied Physics Military University of Technology Vigo System S.A.

InAsSb ternary alloys can be considered as an alternative to HgCdTe for mid-wavelength,as well as long-wavelength infrared *** energy bandgap exhibits nonlinearity versus Sb composition,and hence the correct determination of its value is necessary for the effective design and simulation of optoelectronic *** commonly used expression on the InAsSb energy bandgap provided by Wieder and Clawson overestimated energy bandgap values at high *** this paper,we present two modified empirical relationships which are based on the experimental data obtained in our laboratory and published *** are correct for a wide range of Sb molar composition and *** nonlinearity of the energy gap is described with the adequate bowing *** data collected in our experiment,for samples grown on lattice mismatched GaAs substrates,fits well with a bowing factor of C=0.72 *** minimum bandgap energy that can be reached at room temperature is about 73 meV for a Sb mole fraction,x=*** comparison,the bandgap at low temperatures collected in the literature for samples grown on lattice-matched GaSb substrates is smaller than the measured values in our experiment and fits well with a parabola with C=0.9 eV.

关键词： InAsSb Bandgap energy Bowing Ⅲ-Ⅴ ternary alloys Infrared detectors

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