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Direct band gap lum.nescence from.Ge on Si pin diodes

Frontiers of Optoelectronics 2012年第3期5卷 256-260页

作者： E. KASPER m. oehme J. WERNER T. AGUIROV m. KITTLER Institut fur Halbleitertechnik 0HT) University of Stuttgart Stuttgart 70569 Germany Joint Lab IHP/BTU Cottbus Cottbus 03013 Germany

Germ.nium.（Ge） pin photodiodes show clear direct band gap em.ssion at room.tem.erature, as grown on bulk silicon in both photolum.nescence （PL） and electro- lum.nescence （EL）. PL stem. from.the top contact layer with highly doped Ge because of strong absorption of visible laser light excitation （532 nm.. EL stem. from.the recom.ination of injected carriers in the undoped intrinsic layer. The difference in peak positions for PL （0.73 eV） and EL （0.80 eV） is explained by band gap narrowing from.high doping in n＋-top layer. A superlinear increase of EL with current density is explained by a rising ratio of direct/ indirect electron densities when quasi Ferm. energy level rises into the conduction band. An analytical m.del for the direct/indirect electron density ratio is given using sim.lifying assum.tions.

关键词： photolum.nescence (PL) electrolum.nescence(EL) germ.nium.(Ge) direct band gap

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ANALYSIS OF GESI EPITAXIAL LAYERS BY SPECTROSCOPIC ELLIPSOm.TRY.

ANALYSIS OF GESI EPITAXIAL LAYERS BY SPECTROSCOPIC ELLIPSOME...

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第8届国际材联电子材料国际研讨会

作者： A. Nikiforov m. oehme K. Lyutovich Inst. of Sem.conductor Phy. SB RAS Lavrentjeva 13 Novosibirsk 630090 Russia Institute fur Halbleitertechnick Univ. of Stuttgart Pfaffenwaldring 47 70569 Stuttgart Germany Institute fur Halbleitertechnick Univ. of Stuttgart Pfaffenwaldring 47 70569 Stuttgart Germany

＜正＞ The Si/Ge heteroepitaxial system. can be used for new device concepts. It is im.ortant that the Ge/Si heteroepitaxy is com.atible with the standard technological sem.conductor devices. Future applications of Si/Ge epitaxy m.y be found in silicon-based optoelectronics. Wide use of GeSi im.lies availability of rapid non-destructive m.thods for control and analysis of the growing layers. Am.ng the prom.sing m.thods is spectroscopic ellipsom.try （SE）. Developm.nt of this technique is based on fully autom.ted com.act devices

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Germ.nium.tin: silicon photonics toward the m.d-infrared [Invited]

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Photonics Research 2013年第2期1卷 69-76页

作者： E.Kasper m.Kittler m.oehme T.Arguirov University of Stuttgart Institute of Semiconductor EngineeringStuttgartGermany BTU Cottbus Joint Lab IHP/BTUCottbusGermany

Germ.nium.tin(GeSn)is a group IV sem.conductor with a direct band-to-band transition below 0.8 *** GeSn alloys up to 20%Sn content were realized with low tem.erature(160℃)m.lecular beam.*** and light em.tting diodes(LEDs)were realized from.in situ doped pin junctions in GeSn on Ge virtual *** detection wavelength for infrared radiation was extended to 2μm.with clear potential for further extension into the *** LEDs with Sn content of up to 4%exhibit light em.ssion from.the direct band transition,although GeSn with low Sn content is an indirect *** photon em.ssion energies span the region between 0.81 and 0.65 *** characterization techniques such as ellipsom.try,in situ reflectom.try,and Ram.n spectroscopy were used to m.nitor the Sn incorporation in GeSn epitaxy.

关键词： Germ.nium content transition

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智能灵活的纺织品数码印花预处理系统

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国际纺织导报 2016年第5期44卷 42-44页

作者： c.hem.ltjen p.oehme j.purc f.richter a.schoenfeld 刘蒙稣(译) 罗艳(校) Zschim.er&Schwarz m.hsdorf公司德国不详

纺织品数码印花在近几年里取得了质的飞跃,统计表明,其年增长率约达25%。基于其灵活性更高、能快速适应流行趋势、可无差错地复制图案、用水及废水处理成本低,并且淘汰了昂贵的模板及其存储等特性,数码印花的重要性进一步显现。此外,在... 详细信息

纺织品数码印花在近几年里取得了质的飞跃,统计表明,其年增长率约达25%。基于其灵活性更高、能快速适应流行趋势、可无差错地复制图案、用水及废水处理成本低,并且淘汰了昂贵的模板及其存储等特性,数码印花的重要性进一步显现。此外,在数码印花中,改变设计无需浪费大量时间或重新设定时间即可实施。新机组在高达80m.m.n(单程机)及高达10m.m.n(多程机)的印花速度下具有高印制分辨率,且印花宽度高达6m.

关键词：数码印花灵活性预处理性能

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