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Physico−mathematical model of the voltage−current characteristics of light-emitting diodes with quantum wells based on the Sah−Noyce−Shockley recombination mechanism
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Journal of Semiconductors 2024年 第8期45卷 25-33页
作者： Fedor I.Manyakhin Dmitry o.Varlamov Vladimir P.Krylov lyudmila o.morketsova Arkady A.Skvortsov Vladimir K.Nikolaev Dinamics Strength of Machines and Resisance of MaterialsMoscow Polytechnic UniversityRussia Biomedical and Electronic Means and Technologies Vladimir State UniversityRussia Computer-Aided Design and Engineering National University of Science and Technology"MISiS"Russia
Herein,a physical and mathematical model of the voltage−current characteristics of a p−n heterostructure with quantum wells(QWs)is prepared using the Sah−Noyce−Shockley(SNS)recombination mechanism to show the SNS reco... 详细信息
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