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Synthesis of GaPO_4-GaN Coaxial Nanowires

Journal of Materials Science & Technology 2010年第1期26卷 15-19页

作者： lutang fu zhigang chen hongtao cong Shenyang National Laboratory for Materials Science Institute of Metal Research Chinese Academy of Sciences 72 Wenhua Road Shenyang 110016 China

GaPO4-GaN coaxial nanowires were synthesized by two-step chemical vapor deposition method using H2 and NH3 as reactant gas in turn at 950℃. The morphology and microstructures of the GaPO4-GaN coaxial nanowires were studied by scanning elctron microscopy （SEM）, X-ray diffraction （XRD） and transmission electron microscopy （TEM）. The nanowires have an average diameter of -15 nm and length of hundreds of nanometers. The core is GaPO4 crystal and the outer shell is GaN crystal. The formation mechanism was discussed and the key factors controlling the growth are temperature and the concentration of reactant gases. These coaxial nanowires may have potential application for piezoluminescence nano-devices, and the two-step synthetic technique could be used to grow rationally other 1D GaN-based nanowire heterostructures.

关键词： GaN GAPO4 Coaxial nanowires

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