检索结果-南通市图书馆

通信学报 1998年第11期19卷 7-11页

作者：毛陆虹胡国驹朱国桢天津大学电子与信息工程学院河南省基础及应用科学研究所郑州大学电子工程系

本文给出了外部光注入半导体激光器（ＬＤ）的大信号非线性宏模型，使得对外部光注入ＬＤ的特性可以用通用电路分析软件进行分析，运用此模型对外部光注入ＬＤ的双稳和动态调制特性进行了分析，模型的分析结果与已报导的理论和实验基本... 详细信息

本文给出了外部光注入半导体激光器（ＬＤ）的大信号非线性宏模型，使得对外部光注入ＬＤ的特性可以用通用电路分析软件进行分析，运用此模型对外部光注入ＬＤ的双稳和动态调制特性进行了分析，模型的分析结果与已报导的理论和实验基本一致。

关键词：半导体激光器注入锁定宏模型

2.5Gb/s低噪声差分交叉耦合跨阻放大器的设计与实现

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

天津大学学报（自然科学与工程技术版） 2017年第6期50卷 656-660页

作者：谢生高谦毛陆虹吴思聪谷由之天津大学微电子学院天津300072

本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电... 详细信息

本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电路参数以及在输入端引入阶梯型无源匹配网络来进一步拓展带宽和降低电路噪声.测试结果表明,在探测器等效电容为300pF时,所设计跨阻放大器芯片的-3d B带宽为2.2GHz,跨阻增益为61.8d B?,平均等效输入噪声电流谱密度仅为9 pA/(Hz)^(1/2),成功实现了2.5Gb/s的传输速率.在1.8V电源电压下,芯片功耗为43m W,包括焊盘在内的芯片总面积为1×1mm^2.

关键词：光接收机调节型共源共栅跨阻放大器低噪声 CMOS

基于标准CMOS工艺太阳能电池的微电源管理系统

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

传感技术学报 2013年第4期26卷 590-594页

作者：韩聃张世林毛陆虹谢生天津大学电子信息工程学院天津300072

基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种... 详细信息

基于CMOS太阳能电池设计了一款微电源管理系统。此电源管理系统适用于传感器网络节点和半有源电子标签之类的需要周期性短时间供电的电路。电源管理系统中包含一个电荷泵,一个片外储能电容,控制电路和一个线性稳压器。控制电路采用一种全新的结构,静态功耗基本为零。采用UMC 0.18μm CMOS工艺,当输出电流为30μA,储能电容为1μF时,一个周期可达到大于20 ms的供电时间,输出电压1.8 V,电源管理系统的静态电流小于1.5μA。

关键词：微电源管理 CMOS 片上集成太阳能电池

集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

传感技术学报 2012年第4期25卷 462-467页

作者：王倩毛陆虹张欢张世林谢生天津大学电子信息工程学院天津300072

提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,... 详细信息

提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃～50℃范围内,脉冲周期从1.841μs～0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。

关键词：无源RFID 温度传感器高分辨率 CMOS工艺

一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

南开大学学报（自然科学版） 2020年第1期53卷 61-64页

作者：蔡昊成毛陆虹丛佳天津大学电气自动化与信息工程学院天津300072

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,... 详细信息

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%.

关键词： Ka频段功率放大器 GaN工艺功率合成

采用噪声抵消技术的高增益CMOS宽带LNA设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子技术应用 2013年第5期39卷 44-47,50页

作者：董叶梓张鹏毛陆虹国家海洋技术中心天津300112 天津大学电子信息工程学院天津300072

设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压... 详细信息

设计了一种面向多频段应用的CMOS宽带低噪声放大器。采用噪声抵消技术以及局部负反馈结构,引入栅极电感补偿高频的增益损失,电路具有高增益、低噪声的特点,并且具有平坦的通带增益。设计采用UMC 0.18μm工艺,后仿真显示:在1.8 V供电电压下,LNA的直流功耗约为9.45 mW,电路的最大增益约为23 dB,3 dB频带范围为0.1 GHz^1.35 GHz,3 dB带宽内的噪声约为1.7 dB^5 dB;在1 V供电电压下,电路依然能够保持较高的性能。

关键词：宽带低噪声放大器噪声抵消技术局部反馈电感补偿 CMOS集成电路

适用于TD-SCDMA/TD-LTE协议发射机的可变带宽低通滤波器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2013年第5期33卷 441-446页

作者：金晨毛陆虹谢生张世林天津大学电子信息工程学院天津300072

采用UMC 0.18μm CMOS工艺,实现了一种符合TD-SCDMA/TD-LTE协议要求的发射机的可变带宽滤波器,设计选择七阶切比雪夫低通滤波器,采用有源电阻电容(active-RC)全差分滤波器结构,通过一阶滤波器级联三个二阶Tow-ThomasⅡ型滤波器结构构成... 详细信息

采用UMC 0.18μm CMOS工艺,实现了一种符合TD-SCDMA/TD-LTE协议要求的发射机的可变带宽滤波器,设计选择七阶切比雪夫低通滤波器,采用有源电阻电容(active-RC)全差分滤波器结构,通过一阶滤波器级联三个二阶Tow-ThomasⅡ型滤波器结构构成,用译码器控制电容阵列调节带宽,带宽设置为1.6MHz、3MHz、5MHz、10MHz和15MHz五种可切换值。滤波器芯片面积为1 059μm×867μm。测试结果表明,在1.8V电源电压下电路功耗为13mA,各个带宽符合设计要求,滤波器二倍频衰减度可以达到50dB以上,线性度指标三阶输入交调点(Input 3rd order intercept point,IIP3)为-4.385dBm。

关键词：时分同步码分多址时分长期演进可变带宽低通滤波器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

用于相控阵雷达的高线性度低噪声放大器

微电子学 2016年第5期46卷 620-623页

作者：张小波谢生毛陆虹天津大学电子信息工程学院天津300072

基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器。该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路的增益和线性输出功率。为了提高线性度,第2级采用了具有线性... 详细信息

基于IBM 0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器。该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路的增益和线性输出功率。为了提高线性度,第2级采用了具有线性补偿功能的线性化偏置电路。仿真结果表明,在中心频率为16.5GHz,带宽为2GHz的频带范围内,噪声系数小于3.9dB,其最小值为3.22dB,功率增益大于23.5dB,输出1-dB压缩点在中心频率处大于6.5dBm。在3.3V电源电压下,静态功耗为66mW,芯片面积为(1 245×580)μm2。

关键词：相控阵低噪声放大器 SiGe BiCMOS 线性补偿单片集成

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新的8B／10B编解码硬件设计方法

高技术通讯 2005年第3期15卷 48-52页

作者：贺传峰戴居丰毛陆虹天津大学电子信息工程学院光纤通信研究所天津300072

在深入研究了8B/10B编码规则及其内在相关性的基础上,提出了一种新的8B/10B编、解码方法,该方法综合了查表法和逻辑运算法的优点,具有运算量小、编解码同步好、速度快、可靠性高等优点.用Verilog HDL语言实现编解码算法的描述,并通过高... 详细信息

在深入研究了8B/10B编码规则及其内在相关性的基础上,提出了一种新的8B/10B编、解码方法,该方法综合了查表法和逻辑运算法的优点,具有运算量小、编解码同步好、速度快、可靠性高等优点.用Verilog HDL语言实现编解码算法的描述,并通过高性能的FPGA器件进行仿真和综合,实现了具体的硬件电路,并验证了设计方法的有效性和可行性.

关键词：编解码 HDL语言硬件设计同步 FPGA器件查表法算法 8B/10B 逻辑运算硬件电路

一种7-8双模预分频△∑Fractional-N频率综合器①

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

高技术通讯 2012年第12期22卷 1286-1291页

作者：王文波毛陆虹肖新东谢生张世林天津大学电子信息工程学院天津300072 中国兵器工业系统总体部北京100089

设计了一种应用于超高频射频识别（UHFRFID）阅读器的A∑Fractional-N频率综合器。该频率综合器采用开关电容阵列结构实现了调谐范围为750—950MHz的压控振荡器，使用电流模式逻辑（CML）结构D触发器实现了7—8双模预分频，频率精度设计... 详细信息

设计了一种应用于超高频射频识别（UHFRFID）阅读器的A∑Fractional-N频率综合器。该频率综合器采用开关电容阵列结构实现了调谐范围为750—950MHz的压控振荡器，使用电流模式逻辑（CML）结构D触发器实现了7—8双模预分频，频率精度设计为1．98kHz，电路基于UMC0．181xm2层多晶6层金属CMOS工艺实现，芯片面积为1700μm×1950μm。仿真结果表明系统建立时间小于1001xs。系统相位噪声的Matlab仿真结果为-115dBc／Hz@500kHz。测试结果显示电源电压1．8V时功耗15mA，总输出相位噪声为-111．45dBc／Hz@500kHz，测试的输出频率较好地符合预置输出频率。

关键词：超高频射频识别(UHF RFID)阅读器频率综合器压控振荡器(VCO) 7—8 双模预分频 △∑调制器