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  • 1 篇 li xinghua
  • 1 篇 cai lili
  • 1 篇 li yangxian

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  • 2 篇 英文
检索条件"作者=Lili Cai 1, Yangxian Li 1, guifeng chen 1, Xinghua Li 1, Jiangang Hao 2, Yu Zhang 2 "
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Effect of Oxygen Precipitates in Annealed Electron Irradiated Czochralski Silicon
Effect of Oxygen Precipitates in Annealed Electron Irradiate...
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14届全国晶体生长与材料学术会议
作者: lili cai 1, yangxian li 1, guifeng chen 1, xinghua li 1, jiangang hao 2, yu zhang 2 (1 School of Material Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, P. R. China) (2 Tianjin Institute of Technical Physics, Tianjin 300130, P. R. China)
来源: cnki会议 评论
Infrared studies of vacancy-oxygen-related complexes in electron-irradiated Czochralski-silicon
收藏 引用
Rare Metals 2006年 第Z2期25卷 55-58页
作者: cai lili chen Hongjian li yangxian chen guifeng li xinghua hao jiangang zhang yu School of Material Science and Engineering Hebei University of TechnologyTianjin 300130China Tianjin Institute of Technical Physics Tianjin 300130China
The oxygen-related defects in CZ silicon during electron irradiation(1.5 MeV)and subsequent annealing in the range of 150-600℃were investigated by means of *** the electron irradiation CZ-Si,vacancy-oxygen complex is... 详细信息
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