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Technology challenges for monolithically integrated waveguide demultiplexers

Chinese Optics Letters 2009年第4期7卷 315-318页

作者： Lech Wosinski Liu Liu Ning Zhu lars thylen Department of Microelectronics and Applied Physics Royal Institute of Technology (KTH) Electrum 229 SE-164 40 Kista Sweden Joint Research Center of Photonics of the Royal Institute of Technology and Zhejiang University INTEC Department Photonics Research Group Ghent University-IMEC St-Pietersnieuwstraat 41 9000 Ghent Belgium

A short overview of integrated waveguide demultiplexers for different applications in future highly integrated optical communication systems is presented. Some fabricated devices based on amorphous silicon nanowire te... 详细信息

关键词： Communication systems Demultiplexing Monolithic integrated circuits Optical communication Waveguides

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High speed optical modulation in Ge quantum wells using quantum confined stark effect

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Frontiers of Optoelectronics 2012年第1期5卷 82-89页

作者： Yiwen RONG Yijie HUO Edward T.FE Marco FIORENTINO Michael R.T.TAN Tomasz OCHALSKI Guillaume HUYET lars thylen Marek CHACINSKI Theodore I.KAMINS James S.HARRIS Department of Electrical Engineering Stanford UniversityStanfordCA 94305USA Quantum Science Research Hewlett-Packard LaboratoriesPalo AltoCA 94304USA Tyndall National Institute Lee MaltingsPhotonics BuildingCorkIreland Photonics and Microwave Engineering Royal Institute of Technology Kista Stockholm S-16440Sweden

We focus on the optimization of SiGe material deposition, the minimization of the parasitic capacitance of the probe pads for high speed, low voltage and high contrast ratio operation. The device fabrication is based on processes for standard Si electronics and is suitable for mass-production. We present observations of quantum confinement and quantum-confined Stark effect （QCSE） electroabsorption in Ge quantum wells （QWs） with SiGe barriers grown on Si substrates. Though Ge is an indirect gap semiconductor, the resulting effects are at least as clear and strong as seen in typical III-V QW structures at similar wavelengths. We also demonstrated a modulator, with eye diagrams of up to 3.5 GHz, a small driving voltage of 2.5 V and a modulation bandwidth at about 10 GHz. Finally, carrier dynamics under ultra-fast laser excitation and high- speed photocurrent response are investigated.

关键词： electroabsorption effect Ge optical intercon-nections optical modulators quantum-confined Stark effect(QCSE) Ge/SiGe quantum wells (QWs)

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