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A Raman Study of the Origin of Oxygen Defects in Hexagonal Manganite Thin Films

Chinese Physics Letters 2012年第12期29卷 148-151页

作者： CHEN Xiang-Bai HIEN Nguyen Thi Minh YANG In-Sang lee daesu NOH Tae-Won Department of Nano Science&Mechanical Engineering and Nanotechnology Research Center Konkuk UniversityChungju 380-701Korea 2Department of Physics and Division of Nano-SciencesEwha Womans UniversitySeoul 120-750Korea 3ReCFIDepartment of Physics and AstronomySeoul National UniversitySeoul 151-747Korea

Oxygen defects are usually unavoidable when synthesizing oxide thin *** study the origin of the oxygen defects in hexagonal manganite HoMnO_(3) epitaxial thin films through Raman scattering *** results show that the oxygen defects in hexagonal HoMnO_(3) thin films have distinct effects on different phonon modes and on magnon *** analyses indicate that the oxygen defects in hexagonal HoMnO_(3) thin films mainly originate from the basal O3 and/or O4 oxygen ***,our analyses of oxygen defects predict that the Mn 3d orbitals would be more strongly hybridized with the apical O1 and/or O22p orbitals than the basal O3 and/or O42p *** prediction is consistent with our resonant Raman scattering study and earlier first-principle calculations of the electronic structures of hexagonal manganites.

关键词： spectroscopy. hexagonal Oxygen

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