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A High Performance 4H-SiC Normally-off VJFET
A High Performance 4H-SiC Normally-off VJFET
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第4届国际电力电子及运动控制国际会议
作者： K.Tone P.Alexandrov l.fursin M.Weiner T.Burke SiClAB ECE DepartmentRutgers University 94 Brett RoadPiscataway NJ 08854 USA United Silicon Carbide Inc. New Brunswick Technology Center100 Jersey Ave. Building A New Brunswick NJ 08902USA United Silicon Carbide Inc. New Brunswick Technology Center100 Jersey Ave. Building A New Brunswick NJ 08902USA United Silicon Carbide Inc. New Brunswick Technology Center100 Jersey Ave. Building A New Brunswick NJ 08902USA U.S. Army TACOM AMSTA-TR-R MS-121 Warren MI 48397USA
＜正＞ This paper presents the design, fabrication and characterisation of a high performance 4H-SiC normally-off, trenched and implanted vertical junction field-effect transistor （VJFET）- Devices with different tre... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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