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Application of Reactive Ion Etching to the Fabrication of Microstructure on Mo/Si Multilayer
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Chinese Physics letters 1999年 第9期16卷 665-666页
作者： lE Zi-chun l.dreeskornfeld S.Rahn R.Segler U.Kleineberg U.Heinzmann Institute of Atomic and Molecular Physics Jilin UniversityChangchun 130012 Fakultät für Physik Universität BielefeldUniversitatsstraβe 25D-33615 BielefeldGermany
Mo/Si muitilayer mirrors(30 periods,doublelayer thickness 7nm)with the AZ-PF514 resist pattern whose smallest lines and spaces structure was 0.5pm were etched by reactive ion etching(RIE)in a fluorinated *** etch rate... 详细信息
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