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Flexible wearable sensors:An emerging platform for monitoring of bacterial infection in skin wounds

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Engineered Regeneration 2024年第2期5卷 186-198页

作者： Hao Meng Weicheng Zhong kui ma Jianlong Su Liqian ma Yaying Hao Yufeng Jiang Xi Liu Xiaobing Fu Cuiping Zhang Research Center for Tissue Repair and Regeneration Affiliated to the Medical Innovation Research Department PLA General Hospital and PLA Medical CollegeBeijing 100048PR China PLA Key Laboratory of Tissue Repair and Regenerative Medicine Beijing 100048PR China Beijing Key Research Laboratory of Skin Injury Repair and RegenerationBeijing 100048PR China Research Unit of Trauma Care Tissue Repair and RegenerationChinese Academy of Medical Sciences2019RU051Beijing 100048PR China College of Graduate Tianjin Medical UniversityTianjin300070PR China Department of Tissue Regeneration and Wound Repair PLA General HospitalBeijingPR China

Persistent inflammatory responses often occur when bacteria and other microorganisms frequently invade and colonize open wounds and eventually result in the formation of chronic ***,achieving real-time detection of invasive bacteria accurately and promptly is essential for efficient wound management and accelerat-ing the healing ***,flexible wearable sensors have garnered significant attention,especially those designed for monitoring real-time biophysical or biochemical signals in wound sites in a minimally invasive *** provide more precise and continuous monitoring data,making them as emerging tools for clinical *** this review,we first discuss the species and community distribution of different types of bacteria in chronic ***,we introduce currently developed techniques for detecting bacteria at wound ***-lowing that,we discuss the recent progress and unresolved issues of various flexible wearable sensors in detecting bacteria at wound *** believe that this review can provide meaningful guidance for the development of flexible wearable sensors for bacteria detection.

关键词： Flexible wearable sensors Chronic wounds Bacterial infections Real-time detection

基于混合信号集成电路的射频前端设计与性能优化

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计算机应用文摘 2024年第14期40卷 53-55页

作者：马魁中兵通信科技股份有限公司武汉分公司武汉430200

随着无线通信技术的快速发展,作为无线通信系统的重要组成部分,射频前端性能的优劣直接影响到整个系统的通信质量和稳定性。作为实现射频前端的关键技术之一,混合信号集成电路技术的设计与性能优化成为当前研究的热点。

关键词：无线通信技术射频前端混合信号集成电路技术

基于电荷泵的倍增/反向双输出电压转换设计与实现

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固体电子学研究与进展 2024年第1期44卷 59-64页

作者：张广璋马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

为了解决目前基于电荷泵的开关电容电压转换芯片功能较为单一的问题,基于Dickson经典电荷泵结构,匹配四路双极型晶体管开关同时实现对输入电压的倍增输出以及倍增后的电压反向。四路二极管充作开关来使用,在降低开关器件导通电压的同时... 详细信息

为了解决目前基于电荷泵的开关电容电压转换芯片功能较为单一的问题,基于Dickson经典电荷泵结构,匹配四路双极型晶体管开关同时实现对输入电压的倍增输出以及倍增后的电压反向。四路二极管充作开关来使用,在降低开关器件导通电压的同时简化了开关电路,缩小了电路的尺寸,并降低了电路的功耗。基于国内某工艺线的40 V互补双极型工艺,设计并制作了带正/负两路输出的开关电容电荷泵电压转换器芯片电路。流片测试结果表明:当电源电压为4 V(负载电流为0 ma、+10 ma)、5 V(负载电流为±10 ma)、9 V(负载电流为+10 ma)、10 V(负载电流为-10 ma)以及11 V(空载)时,输出电压均满足设计指标。

关键词：开关电容电荷泵双输出电压双极型

基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜

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半导体技术 2024年第7期49卷 624-628页

作者：曾祥余马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳1550025

使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 详细信息

使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。

关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率光刻胶掩膜低粗糙度表面

贵金属沉积对Ga_(2)O_(3)光催化降解有机染料的影响

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应用化工 2024年第8期53卷 1749-1754页

作者：钟瑞舒国强马奎岳海荣四川大学化学工程学院四川成都610065

采用沉积沉淀法成功将Au、Ag、Pd、Rh和Ru 5种贵金属元素负载在棒状Ga_(2)O_(3)材料上,表征了负载前后催化剂的形貌结构和物化性质,并考察了其在不同光源下降解有机染料的性能。在300 W氙灯的照射下,Ag负载Ga_(2)O_(3)表现出最佳的光催... 详细信息

采用沉积沉淀法成功将Au、Ag、Pd、Rh和Ru 5种贵金属元素负载在棒状Ga_(2)O_(3)材料上,表征了负载前后催化剂的形貌结构和物化性质,并考察了其在不同光源下降解有机染料的性能。在300 W氙灯的照射下,Ag负载Ga_(2)O_(3)表现出最佳的光催化活性,反应12 min后降解83%的有机染料(IC,50 mg/L),速率常数为0.14 min^(-1);在10 W可见光照射下的速率常数可达0.084 min^(-1)。此外,Ga_(2)O_(3)-Ag催化剂对其他有机染料(MO、MB、MV和RhB,10 mg/L)也表现出良好的光降解活性。紫外可见漫反射光谱、光电流瞬态响应和光致荧光发光光谱等测试结果表明,Ag负载增强了Ga_(2)O_(3)催化剂对可见光的吸收能力,提高了光生载流子的分离效率,进而显著提升了光催化性能。

关键词： Ga_(2)O_(3)半导体贵金属沉积光催化有机染料降解异质结

Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究

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人工晶体学报 2024年第8期53卷 1352-1360页

作者：钟琼丽王绪马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 详细信息

近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。

关键词： β-Ga_(2)O_(3)薄膜 Al掺杂磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构光吸收光学带隙

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一种低功耗低失调的集成运算放大器

半导体技术 2024年第9期49卷 851-857页

作者：付玉杜承钢闵睿杨发顺马奎贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州辰矽电子科技有限公司贵阳550014 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级... 详细信息

针对高精度、低功耗运放的需求,利用40V双极型工艺设计了一款电源电压为3~30V的低功耗、低失调集成运算放大器。该运放为单片四通道结构,利用一个不完全对称的二级运放,以减小电路的功耗,同时使得输入级失调得到有效改善。并且在输入级加入了一对射极跟随器,增大电路的输入阻抗,使得输入基极电流有效减小。芯片的测试结果表明,在-55~125℃的范围内,平均开环增益可以达到105.998dB,平均失调电压为159.27μV,平均输入偏置电流为-5.787nA,平均输入失调电流为-0.287nA,单个运放的平均电源电流为189.679μA。

关键词：双极型工艺低功耗低失调二级运放射极跟随器输入阻抗

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一种超低失调集成运算放大器的设计与实现

半导体技术 2024年第2期49卷 143-150页

作者：刘传兴何贵昆马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引... 详细信息

基于双极型工艺设计了一种超低失调集成运算放大器。通过在差分输入级的有源负载处设计电阻修调网络来调整失调电压,并针对基极电流补偿不可控的问题设计了可修调的基极电流补偿结构来降低偏置电流,利用激光修调技术减小基极补偿结构引入的随机失调,有效改善了输入级失调。增益级采用结型场效应晶体管(JFET)差分对管以获得高增益,输出级采用全npn晶体管的乙类输出结构可满足大功率输出需求。芯片实测数据表明:在全温度范围内,失调电压最大为-25.3μV,失调电压温漂为0.025μV/℃,输入偏置电流为-3.535 nA,输入失调电流为-0.825 nA。实现了超低的失调电压、电流和温漂。

关键词：低失调低温漂基极电流补偿激光修调双极型工艺

基于ICP的Ar等离子体干法刻蚀Ti/Ni/Ag薄膜

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半导体技术 2024年第10期49卷 893-898页

作者：黄梦茹卢林红郭丰杰马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

在电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺中，选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气（Ar）作为刻蚀气体，研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响... 详细信息

在电感耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺中，选择合适的刻蚀条件对Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀至关重要。使用氩气（Ar）作为刻蚀气体，研究了射频偏压功率、气体体积流量、腔体压强、刻蚀时间等多个参数对功率芯片背面Ti/Ni/Ag薄膜刻蚀深度的影响，并优化刻蚀工艺参数。实验结果表明，调节射频偏压功率和Ar体积流量可以显著影响刻蚀速率，进而对薄膜的微结构进行有效调控。通过优化工艺参数，在射频偏压功率300 W、Ar体积流量40 cm3/min、腔体压强1.2 Pa、刻蚀时间50 min下，芯片Ti/Ni/Ag薄膜的刻蚀深度达到283.25μm,有效提升了刻蚀效率和刻蚀精度。

关键词： Ti/Ni/Ag薄膜电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀深度 Ar 射频偏压功率

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