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电子科技大学学报 2024年第5期53卷 685-697页

作者：周靖贵陈匡黎周琦张波电子科技大学集成电路科学与工程学院成都611731

宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频... 详细信息

宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。

关键词：氮化镓异质结二维电子气高电子迁移率晶体管氮化镓单片功率集成 p沟道

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High threshold voltage enhancement-mode GaN p-FET with Sirich LPCVD SiN_(x) gate insulator for high hole mobility

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Journal of Semiconductors 2023年第8期44卷 78-86页

作者： Liyang Zhu kuangli chen Ying Ma Yong Cai Chunhua Zhou Zhaoji Li Bo Zhang Qi Zhou State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu 610054China Key Laboratory of Nanodevices and Applications Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionicsCASSuzhou 215123China Institute of Electronic and Information Engineering University of Electronic Science and Technology of ChinaDongguan 523808China

In this work,the GaN p-MISFET with LPCVD-SiN_(x) is studied as a gate dielectric to improve device *** changing the Si/N stoichiometry of SiN_(x),it is found that the channel hole mobility can be effectively enhanced with Si-rich SiN_(x) gate dielectric,which leads to a respectably improved drive current of GaN *** record high channel mobility of 19.4 cm2/(V∙s)was achieved in the device featuring an Enhancement-mode *** from the significantly improved channel mobility,the fabricated E-mode GaN p-MISFET is capable of delivering a decent-high current of 1.6 mA/mm,while simultaneously featuring a negative threshold-voltage(VTH)of–2.3 V(defining at a stringent criteria of 10μA/mm).The device also exhibits a well pinch-off at 0 V with low leakage current of 1 nA/*** suggests that a decent E-mode operation of the fabricated p-FET is *** addition,the VTH shows excellent stability,while the threshold-voltage hysteresisΔVTH is as small as 0.1 V for a gate voltage swing up to–10 V,which is among the best results reported in the *** results indicate that optimizing the Si/N stoichiometry of LPCVD-SiN_(x) is a promising approach to improve the device performance of GaN p-MISFET.

关键词： p-channel GaN p-FET LPCVD channel mobility hole mobility enhancement-mode

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重庆市自杀未遂大学生的自杀态度和社会支持系统的调查

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重庆医学 2014年第26期43卷 3474-3477页

作者：吕臻艾明况利陈建梅牛雅娟费立鹏重庆医科大学附属第一医院心理卫生中心 400016 北京回龙观医院北京心理危机研究与干预中心 100096

目的了解重庆市大学生中自杀未遂者对自杀的态度以及社会支持状况。方法采用《自杀态度与心理健康状况问卷》,在重庆市随机抽取的11所大学中调查9 808名大学生,比较有自杀未遂行为和无自杀行为的大学生在自杀态度和社会支持系统的差异... 详细信息

目的了解重庆市大学生中自杀未遂者对自杀的态度以及社会支持状况。方法采用《自杀态度与心理健康状况问卷》,在重庆市随机抽取的11所大学中调查9 808名大学生,比较有自杀未遂行为和无自杀行为的大学生在自杀态度和社会支持系统的差异。结果调查显示重庆市大学生自杀未遂的报告率为1.7%。有自杀未遂行为的大学生比无自杀行为的大学生更加肯定自杀的不可预防性、自杀的不可自我控制性、对自杀抱有正性的态度,并认为自杀能改变他人行为。而相对比有自杀未遂行为的大学生而言,无自杀行为的大学生更多的是歧视自杀行为、对自杀行为是负性态度、不认为自杀能改变他人行为及承认自杀的社会重要性。有自杀未遂行为的大学生社会支持量表总分、客观支持分、主观支持分及对支持的利用度均比无自杀行为的大学生的评分低,且差异有统计学意义(P<0.01)。有自杀未遂行为的大学生,其自杀态度中,自杀的不可预防性、自杀的不可自我控制性、对自杀的正性态度与社会支持总分及社会支持中各维度的分值均呈显著负相关,自杀的社会重要性与社会支持总分及各维度的分值呈显著正相关。结论有自杀未遂行为的大学生对自杀更倾向于肯定态度,这部分学生的社会支持系统较差,提醒高校教育者和社会相关部门应加强自杀相关知识的教育,完善大学生社会支持系统,对有自杀风险的高危学生进行早期干预,以防止自杀行为的发生。

关键词：自杀未遂大学生自杀态度社会支持

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