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An Efficient Bayesian Iterative Method for Solving Linear Systems

Journal of Mathematical Research with Applications 2012年第3期32卷 288-296页

作者： kin sio fong Faculty of Business Administration University of Macau

This paper concerns with the statistical methods for solving general linear systems. After a brief review of Bayesian perspective for inverse problems,a new and efficient iterative method for general linear systems from a Bayesian perspective is *** convergence of this iterative method is proved,and the corresponding error analysis is ***, numerical experiments are given to support the efficiency of this iterative method,and some conclusions are obtained.

关键词： linear system matrix iterative method Bayesian perspective.

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GCH1基因突变致多巴反应性肌张力不全一例

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新医学 2022年第1期53卷 70-73页

作者：黄健星林小群黄洁馨澳门镜湖医院儿科澳门特别行政区

多巴反应性肌张力不全(DRD)是一种常染色体显性或隐性遗传运动障碍疾病,病理特征为黑质纹状体多巴胺含量减少,主要表现为儿童期肌张力障碍,小剂量左旋多巴可以改善症状。三磷酸鸟苷环化水解酶1(GCH1)基因是其致病基因之一。该文报道1例G... 详细信息

多巴反应性肌张力不全(DRD)是一种常染色体显性或隐性遗传运动障碍疾病,病理特征为黑质纹状体多巴胺含量减少,主要表现为儿童期肌张力障碍,小剂量左旋多巴可以改善症状。三磷酸鸟苷环化水解酶1(GCH1)基因是其致病基因之一。该文报道1例GCH1基因突变所致的DRD患儿,其以步态异常为主诉,行走时出现肌张力不全姿势,症状晨轻暮重,经基因检测证实其GCH1基因出现杂合性突变。接受小剂量左旋多巴治疗后患儿神经系统体征基本消失,于小儿神经科门诊随诊2年,运动功能良好。临床上对于病因不明的肌张力障碍患儿,需警惕DRD的可能,尽早识别和治疗可明显改善预后,预防残疾的发生。

关键词：多巴反应性肌张力不全三磷酸鸟苷环化水解酶1基因左旋多巴

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產後出血性子宮切除的回顧分析

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镜湖医学 2014年第2期14卷 40-41,36页

作者：古少君何健菁黃淑健澳門鏡湖醫院婦產科中國

目的探討嚴重產後出血致子宮切除的病因及危險因素,掌握圍產期子宮切除的手術指徵、手術時機及手術方法,可減少孕產婦的發病率和死亡率。方法收集2004年6月~2014年5月本院10年內因產後出血致子宮切除的病例作出回顧性分析。結果本院10... 详细信息

目的探討嚴重產後出血致子宮切除的病因及危險因素,掌握圍產期子宮切除的手術指徵、手術時機及手術方法,可減少孕產婦的發病率和死亡率。方法收集2004年6月~2014年5月本院10年內因產後出血致子宮切除的病例作出回顧性分析。結果本院10年內分娩總人數25459人,產後出血(按胎兒娩出後24小時內出血量>500mL為標準)1186例,發生率4.66%。其中產後出血性子宮切除共12例,發生率為4.7萬分之1。病因依次為:產後宮縮乏力5例(佔41.67%)、前置胎盤3例(佔25.00%)、羊水栓塞2例(佔16.67%)、子宮破裂1例(佔8.33%)、胎盤植入1例(佔8.33%)。12例患者中行子宮次全切除術10例,子宮全切除術2例,均治癒出院。結論產後出血性子宮切除病因主要為產後宮縮乏力及前置胎盤,需時刻警惕及預防。由於產後出血的預後因失血量,失血速度及產婦體質不同而有所差異,雖然子宮切除代表永久喪失生殖能力,但卻被認為是嚴重產後出血經保守治療無效時一個金標準和挽救生命的有效方法。

关键词：產後出血圍產期子宮切除

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熱性驚厥住院患兒病例回顧分析

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镜湖医学 2022年第1期22卷 19-21页

作者：黃潔馨陳彥林小群黃健星澳門鏡湖醫院兒科中国澳门

目的了解鏡湖醫院熱性驚厥(febrile seizure,FS)患兒的診療及隨訪現狀。方法對2017年1月~2019年12月在本院確診熱性驚厥的住院患兒進行回顧性分析。結果510例患兒首次起病年齡為5月~9歲2月,平均起病年齡(23月±2.4月),男311例(61%),女19... 详细信息

目的了解鏡湖醫院熱性驚厥(febrile seizure,FS)患兒的診療及隨訪現狀。方法對2017年1月~2019年12月在本院確診熱性驚厥的住院患兒進行回顧性分析。結果510例患兒首次起病年齡為5月~9歲2月,平均起病年齡(23月±2.4月),男311例(61%),女199例(39%);25例(4.9%)有熱性驚厥家族史,2例致病基因檢測陽性。單純型474例(93%),複雜型36例(7%),複雜型中5例(0.9%)為FS持續狀態。11例(2.2%)患兒行頭顱電腦斷層(Computerized Tomography,CT)檢查結果均為陰性;15例(2.9%)患兒行腰椎穿刺檢查,腦脊液結果均為陰性。163例(32%)患兒進行腦電圖檢查(Electroencephalography,EEG),其中單純性127例,6例異常,陽性率為4.7%;複雜性36例,8例異常,陽性率為22.2%;EEG異常14例中4例可見癇樣放電。383例(75%)急性發作期注射地西泮止驚,67例(13%)病初體溫驟升時口服地西泮間歇短程預防性治療。結論本院熱性驚厥患兒的診療及隨訪規範與指南共識基本接軌。單純性FS腦電圖檢查率偏高,但檢出異常陽性率較低,應抓緊檢查指徵。

关键词：熱性驚厥高熱驚厥癲癇腦電圖

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Dielectric Breakdown-Recovery in Logic and Resistive Switching in Memory-Bridging the Gap between the Two Phenomena

Dielectric Breakdown-Recovery in Logic and Resistive Switchi...

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2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2012)

作者： kin Leong Pey Nagarajan Raghavan Xing Wu Wenhu Liu Michel Bosman Singapore University of Technology and Design(SUTD) Division of Microelectronics School of EEENanyang Technological University(NTU) A*STAR Institute of Materials Research and Engineering(IMRE) 3 Research Link

Dielectric breakdown is a well documented phenomenon studied for logic transistors using sio2/sioN and HfO2 as the oxide material with thickness ranging from 1-5 nm. Recovery of dielectric breakdown has also been reported recently and its implications on the prolonged time dependent dielectric breakdown（TDDB）lifetime are very ***,in the non-volatile memory arena,orders of magnitude change in conductance of the oxide has been observed for different voltage levels, voltage polarities and current densities,which is commonly referred to as"resistive switching". Interestingly,although the gate stacks used for logic and memory applications are very similar in the materials used and dimensions as well,the mechanisms postulated to explain the breakdown-recovery mechanism in logic and switching mechanism in memory are very different. Often,the mechanism underlying switching tends to be very speculative without any convincing physical and electrical evidence that confirms the underlying kinetics of the reversible conductance state transition process. The issue stems from the fact that researchers in logic and memory operate in two distinct domains and seldom interact with each other and as a result,the link between the devices used for these two applications is not clearly recognized by most *** this study,we will bridge the gap between these two phenomena and take advantage of our understanding of dielectric breakdown and recovery to convincingly explain the fundamental physics governing the switching process.

关键词： Switches Logic gates Electrodes Dielectric breakdown Metals Market research

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CVD生长多壁碳纳米管的拉曼光谱径向呼吸振动模式观察(英文)

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新型炭材料 2015年第5期30卷 385-390页

作者： Valeriy V.Bolotov Vasiliy E.Kan Egor V.Knyazev Peter M.Korusenko Sergey N.Nesov Yuriy A.Sten`kin Viktor A.Sachkov Irina V.Ponomareva Omsk Scientific Center of Siberian Branch Russian Academy of Sciences

采用拉曼光谱仪、透射电镜、俄歇能谱仪、X射线光电子能谱仪等研究在Si O2/Si基底上化学沉积的多壁碳纳米管(MWCNTs)经390℃的空气中热处理120 min前后与HCl溶液化学处理前后的结构变化情况。拉曼光谱集中测试低频(250-300 cm-1)带。结... 详细信息

采用拉曼光谱仪、透射电镜、俄歇能谱仪、X射线光电子能谱仪等研究在Si O2/Si基底上化学沉积的多壁碳纳米管(MWCNTs)经390℃的空气中热处理120 min前后与HCl溶液化学处理前后的结构变化情况。拉曼光谱集中测试低频(250-300 cm-1)带。结果表明,经热处理和化学处理后,在250-300 cm-1形成的拉曼带在峰位和半宽几乎没变。由透射电镜可知,小直径碳纳米管的内径值与拉曼光谱测试结果一致。这些结果表明,低频带产生于小直径碳纳米管的内壁中碳原子的径向呼吸振动。

关键词：碳纳米管径向振动模式拉曼化学气相沉积显微镜

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