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主题

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  • 1 篇 浸没式光刻
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机构

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作者

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ArF浸没式光刻在55nm逻辑器件制造中的优势(英文)
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电子工业专用设备 2007年 第11期36卷 8-15页
作者： Takayuki Uchiyama Takao Tamura Kazuyuki Yoshimochi Paul Graupner Hans Bakker Eelco van Setten kenji morisaki NEC Electronics Corporation 1120 ShimokuzawaSagamiharaKanagawaJapan229-1198 NEC Electronics Corporation 1120 ShimokuzawaSagamihara KanagawaJapan229-1198 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technology AG73447 OberkochenGermany ASML De Run 6501DR VeldhovenThe Netherlands ASML Japan 2-15-1 KonanMinato-kuTokyo 108-6022Japan
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同干法光刻技术比较起来改善了关键尺寸一致性(CDU)又避开了必需而强硬的分辨率提高技术(RET)。因此利用浸... 详细信息
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