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Computational discovery of p-type transparent oxide semiconductors using hydrogen descriptor

npj Computational Materials 2018年第1期4卷 503-509页

作者： kanghoon yim Yong Youn Miso Lee Dongsun Yoo Joohee Lee Sung Haeng Cho Seungwu Han Department of Materials Science and Engineering and Research Institute of Advanced Materials Seoul National UniversitySeoul 08826Korea Electronics and Telecommunications Research Institute(ETRI) Daejeon 34129Korea Korea Institute of Energy Research Daejeon 34129Korea

The ultimate transparent electronic devices require complementary and symmetrical pairs of n-type and p-type transparent *** several n-type transparent oxide semiconductors like InGaZnO and ZnO are available and being used in consumer electronics,there are practically no p-type oxides that are comparable to the n-type counterpart in spite of tremendous efforts to discover ***,high-throughput screening with the density functional theory calculations attempted to identify candidate p-type transparent oxides,but none of suggested materials was verified experimentally,implying need for a better theoretical ***,we propose a highly reliable and computationally efficient descriptor for p-type dopability—the hydrogen impurity *** show that the hydrogen descriptor can distinguish well-known p-type and n-type *** the hydrogen descriptor,we screen most binary oxides and a selected pool of ternary compounds that covers Sn^(2+)-bearing and Cu^(1+)-bearing oxides as well as *** a result,we suggest La_(2)O_(2)Te and CuLiO as promising p-type oxides.

关键词： transparent semiconductors oxide

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