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第三届中日原子级别表征学术研讨会

作者：菅原康弘 KAWASAKI K 李艳君 NAITOH Y kageshima m 大阪大学应用物理系大阪大学应用物理系大阪大学应用物理系大阪大学应用物理系大阪大学应用物理系

＜正＞The noncontact atomic force microscope（NC- AFm）using frequency modulation（Fm）technique can resolve the atomic features of the various surfaces. Recently,we found that the NC-AFm has a capability to identify ...

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应用非接触AFm鉴别表面下的原子种类

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现代科学仪器 2006年第Z1期23卷 18-19页

作者：菅原康弘 KAWASAKI K 李艳君 NAITOH Y kageshima m 大阪大学应用物理系日本

　　The noncontact atomic force microscope(NCAFm)using frequency modulation(Fm)technique can resolve the atomic features of the various ***,we found that the NC-AFm has a capability to identify or recognize atom species on a sample surface,if we can control an atomic species at the tip *** is,we succeeded in identification of Si and Ge atoms by imaging the Si/Ge intermixing Si(111)Surface using Si tip,where both of Si and Ge atoms are group IV elements[1].In the present experiments,we further investigate the capability of NC-AFm to identify the atom species under the surface.……

关键词：应用非接触鉴别表面原子 atomic force microscope frequency modulation identification of

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5K下针尖导致Si(001)表面结构变化的NC-AFm观察

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现代科学仪器 2006年第Z1期23卷 40-41页

作者：李艳君 NOmURA H OZAKI N NAITOH Y kageshima m SUGAWARA Y 大阪大学应用物理系日本

　　The Si(001)surface has attracted much attention because of its practical importance in most LSI devices t11at are fabricated on this ***,recent STm studies performed at low temperatures(LT)questioned whether the c... 详细信息

关键词：针尖表面结构变化 change on low temperatures

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Growth and low-energy electron microscopy characteri- zation of monolayer hexagonal boron nitride on epitaxial cobalt

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Nano Research 2013年第5期6卷 335-347页

作者： Carlo m. Orofeo Satoru Suzuki Hiroyuki kageshima Hiroki Hibino NTT Basic Research Laboratories NTT Corporation A tsugi Kanagawa 243-0198 Japan

低精力的电子显微镜学(LEEm ) 习惯于原子地薄的六角形的硼氮化物(h-BN ) 的层的结构，起始的生长取向，生长前进，和数字拍摄的学习。h-BN 电影在低压力用化学蒸汽免职(CVD ) 在 heteroepitaxial 公司上被种。我们从 LEEm 的调查结果... 详细信息

低精力的电子显微镜学(LEEm ) 习惯于原子地薄的六角形的硼氮化物(h-BN ) 的层的结构，起始的生长取向，生长前进，和数字拍摄的学习。h-BN 电影在低压力用化学蒸汽免职(CVD ) 在 heteroepitaxial 公司上被种。我们从 LEEm 的调查结果学习包括有二的单层电影的生长，与公司格子同量的相对地面向的、三角形的 BN 领域。h-BN 的生长看起来在单层自我限制，与仅仅出现在补丁的更厚的领域，大概在领域边界之间开始了。更厚的 h-BN 电影的反射率大小显示出通过 h-BN 电影的使量子化的电子状态源于反响的电子传播的摆动，与与 h-BN 层的数字扩大规模的最小的数字。第一原则密度功能的理论(DFT ) 计算证明摆动的位置与 h-BN 的电子乐队结构有关。

关键词：低能电子显微镜六方氮化硼单层膜特征描述电子能带结构取向生长 BN薄膜化学气相沉积

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