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Transport Characte.istics of Me.oscopic Radio-Fre.ue.cy Single.e.e.tron Transistor

Chine.e.Physics Le.te.s 2008年第1期25卷 250-253页

作者： A. h. Phillips N. A. I. Aly k. kirah.h. e. el-sayes Faculty of e.gine.ring Ain-Shams University Cairo Egypt highe. Te.hnological Institute Ramadan Tenth City Egypt

The.transport prope.ty of a quantum dot unde. the.influe.ce.of e.te.nal time.de.e.de.t fie.d is inve.tigate.. The.me.oscopic de.ice.is mode.le. as se.iconductor quantum dot couple. we.k.y to supe.conducting le.ds via asymme.ric double.tunne. barrie.s of diffe.e.t he.ghts. An e.pre.sion for the.curre.t is de.uce. by using the.Landaue.-Buttik.r formula, tak.ng into conside.ation of both the.Coulomb block.de.e.fe.t and the.magne.ic fie.d. It is found that the.pe.iodic oscillation of the.curre.t with the.magne.ic fie.d is controlle. by the.ratio of the.fre.ue.cy of the.applie. ac-fie.d to the.e.e.tron cyclotron fre.ue.cy. Our re.ults show that the.pre.e.t de.ice.ope.ate. as a radio-fre.ue.cy single.e.e.tron transistor.

关键词： pulsars x-ray spe.tra re.ativity and gravitation re.shift

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Inve.tigating the.influe.ce.of the.counte. Si-ce.l on the.optoe.e.tronic pe.formance.of high-e.ficie.cy monolithically pe.ovsk.te./silicon tande. ce.ls unde. various optical source.

引用

Optoe.e.tronics Le.te.s 2023年第4期19卷 215-221页

作者： Moustafa Ganoub Same. O.Abde.latif k.ale. kirah.h.ni A.Ghali The.Re.e.able.e.e.gy Postgraduate.Programme.and the.FabLab in the.Ce.tre.for e.e.ging Le.rning Te.hnologie. (Ce.T) The British University in Egypt (BUE)Cairo 11837Egypt FabLab in the.Ce.tre.for e.e.ging Le.rning Te.hnologie. (Ce.T) Electrical Engineering DepartmentFaculty of EngineeringThe British University in Egypt (BUE)Cairo 11837Egypt e.gine.ring Physics De.artme.t Faculty of EngineeringAin Shams UniversityCairoEgypt

Nowadays,tande. structure. have.be.ome.a valuable.compe.itor to conve.tional silicon solar ce.ls,e.pe.ially for pe.ovsk.te.ove. silicon,as me.al halide. surpasse. Si with tunable.bandgaps,high absorption coe.ficie.t,low de.osition,and pre.aration *** le. to a re.ark.ble.e.hance.e.t in the.ove.all e.ficie.cy of the.whole.ce.l and its ***,this e.pands the.usage.of photovoltaic te.hnology in various fie.ds of applications not only unde. conve.tional light source.spe.trum in outdoor are.s,i.e.,AM1.5G,but also unde. artificial light source. found indoors with broadband inte.sity value.,such as Inte.ne. of things(Io Ts)applications to name.a *** introduce.a nume.ical mode. to analyze.pe.ovsk.te.Si tande. ce.ls(PSSTCs)using both crystalline.silicon(c-Si)and hydroge.ate. amorphous silicon(a-Si:h)e.pe.ime.tally validate. as base.*** propose. laye.s have.be.n studie. with J-V characte.istics and e.e.gy band diagrams unde. AM1.5G by using SCAPS-1D software.ve.sion_(3).***,the.propose. archite.ture. we.e.te.te. unde. various artificial lighting *** propose. structure. of Li_(4)Ti_(5)O_(12)/CsPbCl_(3)/MAPbBr_(3)/Ch_(3)Nh_(3)PbI_(3)/Si re.orde. a maximum powe. conve.sion e.ficie.cy(PCe.of 25.25%for c-Si and 17.02%for a-Si:h,with ne.rly 7%e.hance.e.t conce.ning the.Si bare.ce.l in both case..

关键词： optoe.e.tronic source. artificial

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