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Etching characteristics of thin SiON films using a liquefied perfluorocarbon precursor of C_6F_(12)O with a low global warming potential

引用

Plasma Science and Technology 2020年第10期22卷 135-144页

作者： junmyung lee Yunho NAM Jongchan lee Hyun Woo lee Kwang-Ho KWON Department of Control and Instrumentation Engineering Korea UniversitySejong 30019Republic of Korea Department of Aeronautic Computer Engineering Hanseo UniversitySeosan 31962Republic of Korea

Perfluorocarbon gas is widely used in the semiconductor ***,perfluorocarbon has a negative effect on the global environment owing to its high global warming potential(GWP) *** alternative solution is ***,we evaluated the possibility of replacing conventional perfluorocarbon etching gases such as CHF_3 with C_6F_(12)O,which has a low GWP and is in a liquid state at room *** this study,silicon oxynitride(SiON) films were plasma-etched using inductively coupled CF4+C_6F_(12)O+O_2 mixed ***,the etching characteristics of the film,such as etching rate,etching profile,selectivity over Si,and photoresist,were investigated.A double Langmuir probe was used and optical emission spectroscopy was performed for plasma *** addition,a contact angle goniometer and x-ray photoelectron spectroscope were used to confirm the change in the surface properties of the etched SiON film ***,the etching characteristics of the C_6F_(12)O mixed plasma exhibited a lower etching rate,higher SiON/Si selectivity,lower plasma damage,and more vertical etched profiles than the conventional CHF_3 mixed *** addition,the C_6F_(12)O gas can be recovered in the liquid state,thereby decreasing global *** results confirmed that the C_6F_(12)O precursor can sufficiently replace the conventional etching gas.

关键词： global warming potential perfluorocarbon silicon oxynitride etching characteristics liquid-state perfluorocarbon

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