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Over 12%efficient kesterite solar cell via back interface engineering

Journal of Energy Chemistry 2022年第12期75卷 321-329,I0008页

作者： Yunhai Zhao Zixuan Yu juguang hu Zhuanghao Zheng Hongli Ma Kaiwen Sun Xiaojing Hao Guangxing Liang Ping Fan Xianghua Zhang Zhenghua Su Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications Key Laboratory of Optoelectronic Devices and SystemsCollege of Physics and Optoelectronic EngineeringShenzhen UniversityShenzhen 518060GuangdongChina CNRS ISCR(Institut des Sciences Chimiques de Rennes)UMR 6226Univ RennesRennes F-35000France School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering UNSW SydneySydney NSW 2052Australia Shenzhen University Institute of Microscale Optoelectronics Shenzhen UniversityShenzhen 518060GuangdongChina

Kesterite Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)(CZTSSe)has attracted considerable attention as a non-toxic and earthabundant solar cell *** selenization of CZTSSe film at high temperature,the reaction between CZTSSe and Mo is one of the main reasons that result in unfavorable absorber and interface quality,which leads to large open circuit voltage deficit(VOC-def)and low fill factor(FF).Herein,a WO_(3)intermediate layer introduced at the back interface can effectually inhibit the unfavorable interface reaction between absorber and back electrode in the preliminary selenization progress;thus high-quality crystals are *** this back interface engineering,the traditional problems of phase segregation,voids in the absorber and over thick Mo(S,Se)_(2)at the back interface can be well solved,which greatly lessens the recombination in the bulk and at the *** increased minority carrier diffusion length,decreased barrier height at back interface contact and reduced deep acceptor defects give rise to systematic improvement in VOCand FF,finally a 12.66%conversion efficiency for CZTSSe solar cell has been *** work provides a simple way to fabricate highly efficient solar cells and promotes a deeper understanding of the function of intermediate layer at back interface in kesterite-based solar cells.

关键词： Cu_(2)ZnSn(S Se)_(4) WO_(3)intermediate layer Crystal growth Minority carrier diffusion length Interface contact quality

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The influence of sequence of precursor films on CZTSe thin films prepared by ion-beam sputtering deposition

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Journal of Semiconductors 2017年第2期38卷 15-19页

作者： Jun Zhao Guangxing Liang Yang Zeng Ping Fan juguang hu Jingting Luo Dongping Zhang Institute of Thin Film Physics and Applications College of Physics and Energy Shenzhen University Shenzhen 518060 China Institute of Chemical Science UMR CNRS 6226 University of Rennes 1 35042 Rennes France

The CuZnSn（CZT） precursor thin films are grown by ion-beam sputtering Cu, Zn, Sn targets with different orders and then sputtering Se target to fabricate Cu_2ZnSnSe_4（CZTSe） absorber thin films on molybdenum substrates. They are annealed in the same vacuum chamber at 400 ℃. The characterization methods of CZTSe thin films include X-ray diffraction（XRD）, energy dispersive spectroscopy（EDS）, scanning electron microscopy（SEM）, and X-ray photoelectron spectra（XPS） in order to study the crystallographic properties, composition, surface morphology, electrical properties and so on. The results display that the CZTSe thin films got the strongest diffraction peak intensity and were with good crystalline quality and its morphology appeared smooth and compact with a sequence of Cu/Zn/Sn/Se, which reveals that the expected states for CZTSe are Cu^（1＋）, Zn^（2＋）, Sn^（4＋）, Se^（2）.With the good crystalline quality and close to ideal stoichiometric ratio the resistivity of the CZTSe film with the sequence of Cu/Zn/Sn/Se is lower, whose optical band gap is about 1.50 eV.

关键词： CZTSe thin films ion-beam sputtering chalcogenide

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不同切型BaTiO_3晶体二波耦合特性研究

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光学学报 1999年第6期19卷 771-776页

作者：许心光牟晓东胡居广邵宗书徐海清罗豪苏仲维卓山东大学晶体材料国家重点实验室中国科学院上海硅酸盐研究所

分析了光折变晶体的电光系数对二波耦合特性的影响。二波耦合能量转移方向不仅依赖于晶体中光生载流子的电荷符号以及入射光与晶体ｃ轴的相对取向，而且依赖于晶体电光系数各分量的相对大小；这种特性特别明显地表现在相向二波耦合作用... 详细信息

分析了光折变晶体的电光系数对二波耦合特性的影响。二波耦合能量转移方向不仅依赖于晶体中光生载流子的电荷符号以及入射光与晶体ｃ轴的相对取向，而且依赖于晶体电光系数各分量的相对大小；这种特性特别明显地表现在相向二波耦合作用中。对不同掺杂浓度（掺铈或掺铑）的０°切割和４５°切割的体块及薄片的ＢａＴｉＯ３晶体进行了实验观察，结果与理论符合得很好。

关键词：光折变钛酸钡晶体前向二波耦合特性相向

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温度对PLD法制备CIGS薄膜性能的影响

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稀有金属材料与工程 2011年第10期40卷 1848-1851页

作者：胡居广林晓东曹慧群罗仲宽李启文张一倩刁雄辉深圳大学广东深圳518060

利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不... 详细信息

利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显;温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加。认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因。

关键词： CIGS薄膜脉冲激光沉积温度扩散

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铜铟镓硒粉体的溶剂热法合成及表征

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硅酸盐学报 2011年第7期39卷 1124-1129页

作者：曹慧群张一倩樊先平张欣鹏胡居广罗仲宽刘剑洪浙江大学材料科学与工程系杭州310027 深圳大学化学与化工学院广东深圳518060 深圳大学物理学院广东深圳518060

采用溶剂热法制备了铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2,CIGS)粉体。对合成的粉体采用X射线衍射进行物相分析,结果表明反应温度为230℃时可以得到单相CIGS粉体。对所制备的样品采用扫描电镜和电感耦合等离子体发射光谱仪等方法进行了表征,结果表明... 详细信息

采用溶剂热法制备了铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2,CIGS)粉体。对合成的粉体采用X射线衍射进行物相分析,结果表明反应温度为230℃时可以得到单相CIGS粉体。对所制备的样品采用扫描电镜和电感耦合等离子体发射光谱仪等方法进行了表征,结果表明,反应温度对粒子大小的影响不大。反应时间对产物的形貌有较大的影响,230℃制备的CIGS为100～500 nm的片状结构晶体,片状晶体组成为Cu In0.38 Ga0.71Se1.82。

关键词：铜铟镓硒溶剂热太阳能电池

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温度对KNSBN晶体二波耦合增益的影响

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山东大学学报（自然科学版） 1999年第2期34卷 181-186页

作者：胡居广许心光牟晓东陈焕矗邵宗书山东大学晶体材料国家重点实验室

对３００Ｋ至４２０Ｋ温度范围内的光折变晶体ＫＮＳＢＮ（钾钠铌酸锶钡）的前向二波耦合特性进行了实验观测和理论分析，结果表明，光增益不仅取决于实验的几何配置而且对温度有较大的依赖性。

关键词：温度光折变二波耦合光放大 KNSBN晶体增益

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基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究

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传感技术学报 2011年第3期24卷 330-335页

作者：胡居广刁雄辉李学金林晓东李佑国刘毅龙井华李启文深圳大学物理科学与技术学院广东深圳518060 深圳市传感器技术重点实验室广东深圳518060

用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制... 详细信息

用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300℃～600℃制备了MgZnO薄膜。由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量。在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性。传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms。

关键词：紫外探测器 MgZnO薄膜温度脉冲激光沉积

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基于ANSYS的试验台底座优化设计

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机床与液压 2014年第8期42卷 3-5页

作者：林巨广胡凯江合肥工业大学机械与汽车工程学院安徽合肥230009

汽车变速箱空载试验台是汽车变速箱生产企业常用的一种试验装备。试验台底座对试验台整体性能具有重要的影响。介绍了优化设计的理论基础。在原试验台底座机构的基础上,采用ANSYS对底座的各项静、动态性能进行分析,找出优化的方向:更改... 详细信息

汽车变速箱空载试验台是汽车变速箱生产企业常用的一种试验装备。试验台底座对试验台整体性能具有重要的影响。介绍了优化设计的理论基础。在原试验台底座机构的基础上,采用ANSYS对底座的各项静、动态性能进行分析,找出优化的方向:更改底座的结构节约了生产底座的材料,改变底座的约束类型提高了底座的抗震性能。并对优化前后底座的性能进行了比较分析。

关键词：汽车变速箱空载试验台底座结构优化设计有限元分析

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水稻三系不育系庆源A的选育与利用

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杂交水稻 2023年第2期38卷 51-54页

作者：蔡巨广胡荣华张以华福建省农业科学院水稻研究所福建福州350018

庆源A是福建省农业科学院水稻研究所利用繁源B//和源B/50B选育保持系,再与全丰A测交并连续回交转育而成的水稻三系不育系,2021年通过福建省品种审定。庆源A具有不育性稳定、配合力好、异交率高等优良特性。介绍了庆源A的选育过程、特征... 详细信息

庆源A是福建省农业科学院水稻研究所利用繁源B//和源B/50B选育保持系,再与全丰A测交并连续回交转育而成的水稻三系不育系,2021年通过福建省品种审定。庆源A具有不育性稳定、配合力好、异交率高等优良特性。介绍了庆源A的选育过程、特征特性及其原种繁殖技术。

关键词：杂交水稻不育系庆源A 选育

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开孔与结构胶对热熔自攻丝接头连接质量的影响

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合肥工业大学学报（自然科学版） 2022年第6期45卷 721-725页

作者：林巨广胡陈林徐群龙合肥工业大学机械工程学院安徽合肥230009

白车身装配制造过程中,板件预开孔和加涂结构胶是2种常见的辅助连接方法。为探究热熔自攻丝(flow drill screwdriving,FDS)连接质量影响因子,为FDS工艺实际应用提供指导,文章以某车身所使用的6K21(2.5 mm)和6082-T6(3.0 mm)铝合金板件... 详细信息

白车身装配制造过程中,板件预开孔和加涂结构胶是2种常见的辅助连接方法。为探究热熔自攻丝(flow drill screwdriving,FDS)连接质量影响因子,为FDS工艺实际应用提供指导,文章以某车身所使用的6K21(2.5 mm)和6082-T6(3.0 mm)铝合金板件搭接为研究对象,研究预开孔与结构胶对热熔自攻丝接头金相几何特征、剪切力学性能以及失效模式的影响。研究结果表明,预开孔与结构胶对接头板间间隙有较大影响,不同条件下能不同程度地提高接头剪切力学性能,且接头失效模式有较大区别。

关键词：热熔自攻丝(FDS) 板件预开孔结构胶金相几何特征剪切力学性能接头失效模式

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