检索结果-南通市图书馆

心理一致感在职业紧张与抑郁间的调节效应分析

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中华预防医学杂志 2020年第8期54卷 844-848页

作者：陈浩叶博王蕾尉艳霞戴俊明高俊岭王帆傅华复旦大学公共卫生学院预防医学系上海200032 华东师范大学人文社会科学学院政治学系上海200241

目的探讨心理一致感在职业紧张与抑郁间的调节效应。方法于2018年6—9月,采用立意抽样的方式,在上海市主城区(以写字楼、商场、理发店或饭店等服务企业为主)和郊区企业(类型涉及微电子、互联网、服装加工及艺术设计等工厂)抽取非上海户... 详细信息

目的探讨心理一致感在职业紧张与抑郁间的调节效应。方法于2018年6—9月,采用立意抽样的方式,在上海市主城区(以写字楼、商场、理发店或饭店等服务企业为主)和郊区企业(类型涉及微电子、互联网、服装加工及艺术设计等工厂)抽取非上海户籍流动工人为研究对象进行问卷调查,收集研究对象的人口学特征。共调查了3034名研究对象,回收有效问卷2573份。采用患者健康量表(PHQ)、心理一致感量表(SOC)和工作内容问卷(JCQ)对抑郁、心理一致感和职业紧张水平进行评定。采用层次回归分析初步分析心理一致感在职业紧张与抑郁间的调节效应关系,并探讨心理一致感的调节效应。结果2573名研究对象年龄为(28.24±7.33)岁,男性1281名(49.79%),抑郁、职业紧张和心理一致感得分分别为6.67±4.74、28.45±4.38和62.02±10.89。抑郁水平与职业紧张正相关(r=0.33,P=0.007),与心理一致感负相关(r=-0.53,P=0.003)。层次回归分析显示,职业紧张与心理一致感的交互作用与抑郁症有关(β=-0.07,P=0.001);Bootstrap分析显示,当心理一致感水平较高时,抑郁症状和职业紧张关联无统计学意义(β=0.04,95%CI=-0.01~0.10),在心理一致感水平较低时,二者关联有统计学意义(β=0.19,95%CI=0.14~0.23)。结论高水平心理一致感在职业紧张与抑郁间具有调节效应,低水平的心理一致感不具有该效应。

关键词：紧张症抑郁横断面研究心理一致感

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基于背景抑制和PCNN的运动目标检测

微电子学与计算机 2017年第3期34卷 50-55,60页

作者：王健丞顾晓东复旦大学信息科学与工程学院电子工程系上海200433

提出了一个基于单位连接的脉冲耦合神经网络、光流、拓扑特性的新方法.根据运动物体和其背景在一幅图像中存在速度的差异,使用该方法对输入图像的每一个像素点的速度幅值进行计算,并采用量化的速度幅值作为阈值决定该像素点属于物体本... 详细信息

提出了一个基于单位连接的脉冲耦合神经网络、光流、拓扑特性的新方法.根据运动物体和其背景在一幅图像中存在速度的差异,使用该方法对输入图像的每一个像素点的速度幅值进行计算,并采用量化的速度幅值作为阈值决定该像素点属于物体本身还是背景.并且,通过使用单位连接的PCNN可以把整体性和连通性—最为重要的拓扑性质,良好地运用在注意力选择的运动物体检测中.实验结果表明,在相同的实验条件下,提出的方法在目标检测和背景抑制的效果优于其他类似的方法.

关键词：目标检测拓扑性质注意力选择光流 PCNN空洞滤波

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密码SoC中算法IP核通用接口模型

计算机工程与设计 2021年第10期42卷 2799-2807页

作者：王凯李伟陈韬南龙梅信息工程大学信息安全重点实验室河南郑州450001 复旦大学微电子学院上海200433

针对不同类型密码算法的调度控制需求,提出一种通用数据包和数据通信协议,支持多样化密码运算下的接口适配;提出一种可编程电路结构,高效完成数据包解析和协议转换;提出一种专用DMA结构,快速实现算法IP核与片上存储间的数据传输。实验... 详细信息

针对不同类型密码算法的调度控制需求,提出一种通用数据包和数据通信协议,支持多样化密码运算下的接口适配;提出一种可编程电路结构,高效完成数据包解析和协议转换;提出一种专用DMA结构,快速实现算法IP核与片上存储间的数据传输。实验结果表明,该通用接口模型在CMOS 55 nm工艺下,时钟频率可达926 MHz,面积最小为28208μm^(2),将AES、SM4、SNOW、ZUC、SHA3、SM3和RSA算法的数据吞吐率分别提高266%、258%、232%、239%、116%、117%和64%。

关键词：数据通信协议可编程电路结构专用DMA 通用接口模型统一管理高效调度

Charge transport and quantum confinement in MoS2 dual-gated transistors

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Journal of Semiconductors 2020年第7期41卷 39-43页

作者： Fuyou Liao Hongjuan wang Xiaojiao Guo Zhongxun Guo Ling Tong Antoine Riaud Yaochen Sheng Lin Chen Qingqing Sun Peng Zhou David Wei Zhang Yang Chai Xiangwei Jiang Yan Liu Wenzhong Bao State Key Laboratory of ASIC and System School of MicroelectronicsFudan UniversityShanghai 200433China State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology School of MicroelectronicsXidian UniversityXi'an 710071China Institute of Semiconductors Chinese Academy of SciencesBeijing 100083China The Hong Kong Polytechnic university Shenzhen Research Institute Shenzhen 518057China department of Applied Physics The Hong Kong Polytechnic UniversityHong KongChina

Semiconductive two dimensional(2D)materials have attracted significant research attention due to their rich band structures and promising potential for next-generation electrical *** this work,we investigate the MoS2 field-effect transistors(FETs)with a dual-gated(DG)architecture,which consists of symmetrical thickness for back gate(BG)and top gate(TG)*** thickness-dependent charge transport in our DG-MoS2 device is revealed by a four-terminal electrical measurement which excludes the contact influence,and the TCAD simulation is also applied to explain the experimental *** results indicate that the impact of quantum confinement effect plays an important role in the charge transport in the MoS2 channel,as it confines charge carriers in the center of the channel,which reduces the scattering and boosts the mobility compared to the single gating ***,temperature-dependent transfer curves reveal that multi-layer MoS2 DG-FET is in the phonon-limited transport regime,while single layer MoS2 shows typical Coulomb impurity limited regime.

关键词： MoS2 field effect transistors dual-gate quantum confinement Coulomb impurity

基于通道线性回归与二维多级预测误差直方图平移的彩色图像可逆数据隐藏

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微电子学与计算机 2018年第5期35卷 61-68页

作者：葛昊立陈妍王建军复旦大学电子工程系上海200433

提出使用通道线性回归来估计当前像素并生成预测误差直方图,然后按照像素的局部空间复杂性使用二维直方图平移嵌入隐秘信息.在接收端,按照和嵌入时完全相反的顺序操作图像,可以在提取出嵌入信息的同时恢复原图像.实验结果表明,与现有的... 详细信息

提出使用通道线性回归来估计当前像素并生成预测误差直方图,然后按照像素的局部空间复杂性使用二维直方图平移嵌入隐秘信息.在接收端,按照和嵌入时完全相反的顺序操作图像,可以在提取出嵌入信息的同时恢复原图像.实验结果表明,与现有的方法相比,相同嵌入容量下本文的算法具有更高的峰值信噪比.

关键词：可逆数据隐藏彩色图像通道线性回归局部色度预测误差直方图

Recent progress of integrated circuits and optoelectronic chips

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Science china(Information Sciences) 2021年第10期64卷 103-135页

作者： Yue HAO Shuiying XIANG Genquan HAN Jincheng ZHANG Xiaohua MA Zhangming ZHU Xingxing GUO Yahui ZHANG Yanan HAN Ziwei SONG Yan LIU Ling YANG Hong ZHOU Jiangyi SHI Wei ZHANG Min XU Weisheng ZHAO Biao PAN Yangqi HUANG Qi LIU Yimao CAI Jian ZHU Xin OU Tiangui YOU Huaqiang WU Bin GAO Zhiyong ZHANG Guoping GUO Yonghua CHEN Yong LIU Xiangfei CHEN Chunlai XUE Xingjun wang Lixia ZHAO Xihua ZOU Lianshan YAN Ming LI School of microelectronics Xidian University State Key Laboratory of Integrated Service Networks Xidian University National Integrated Circuit Innovation Center School of microelectronics Fudan University School of Integrated Circuit Science and Engineering Beihang University china Center for Information Industry Development Frontier Institute of Chip and System Fudan University Institute of microelectronics Peking University Nanjing Electronic Devices Institute State Key Laboratory of Functional Material for Informatics Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Institute of microelectronics Tsinghua University Center for Carbon-based Electronics Department of Electronics Peking University CAS Key Laboratory of Quantum Information University of Science and Technology of China CAS Center for Excellence and Synergetic Innovation Center in Quantum Information and Quantum Physics University of Science and Technology of China Origin Quantum Computing Company Limited Key Laboratory of Flexible Electronics & Institute of Advanced Materials Nanjing Tech University State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices School of Optoelectronic Science and EngineeringUniversity of Electronic Science and Technology of China National Laboratory of Solid State Microstructures & College of Engineering and Applied Sciences Nanjing University State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering University of Chinese Academy of Sciences State Key Laboratory of Advanced Optical Communication Systems and Networks School of Electronics Engineering and Computer Science Peking University School of Electrical and Electronic Engineering Tiangong University Center for Information Photonics and Communications School of Information Science and TechnologySouthwest Jiaotong University School of Electronic Electrical and Communication Engineering

Integrated circuits(ICs) and optoelectronic chips are the foundation stones of the modern information society. The IC industry has been driven by the so-called "Moore’s law" in the past 60 years, and now has entered the post Moore’s law era. In this paper, we review the recent progress of ICs and optoelectronic chips. The research status, technical challenges and development trend of devices, chips and integrated technologies of typical IC and optoelectronic chips are focused on. The main contents include the development law of IC and optoelectronic chip technology, the IC design and processing technology, emerging memory and chip architecture, brain-like chip structure and its mechanism, heterogeneous integration, quantum chip technology, silicon photonics chip technology, integrated microwave photonic chip, and optoelectronic hybrid integrated chip.

关键词： integrated circuit photonic neural computing semiconductor science and technology optoelectronic device and chip photonic integrated circuit wide bandgap semiconductors silicon photonics hybrid integration quantum chip integrated microwave photonic

椭圆偏振光谱测量技术及其在薄膜材料研究中的应用

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中国光学 2019年第6期12卷 1195-1234页

作者：朱绪丹张荣君郑玉祥王松有陈良尧复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系

椭圆偏振光谱测量技术通过测量线偏振光经材料表面反射后光的相对振幅与相位改变量计算得到椭偏参数,再通过椭偏参数的拟合获取样品光学性质。由于其具有非接触、高灵敏度、非破坏性等优势,广泛应用于物理、化学、材料科学和微电子等方... 详细信息

椭圆偏振光谱测量技术通过测量线偏振光经材料表面反射后光的相对振幅与相位改变量计算得到椭偏参数,再通过椭偏参数的拟合获取样品光学性质。由于其具有非接触、高灵敏度、非破坏性等优势,广泛应用于物理、化学、材料科学和微电子等方面,是一种不可或缺的光学测量手段。本文首先简要回顾了该技术的发展历程,接着阐述了传统椭偏仪的基本原理,按照测量原理的不同可将椭偏仪分为消光式和光度式。随后,本文简单介绍了一些常用椭偏仪的基本架构、测量原理和相关应用,并比较了他们的优缺点,重点展示了复旦大学研制的双重傅立叶变换红外椭偏光谱系统。然后按照椭偏参数处理的基本步骤:测量、建模与拟合3个方面,阐述了其过程,详细剖析了参数拟合所使用的各种光学色散模型,同时通过应用实例介绍了各色散模型的应用情况。最后,对未来椭偏技术的发展方向进行了展望。

关键词：椭偏技术椭偏仪椭偏参数拟合光学色散模型材料光学特性

Single-event-transient effect in nanotube tunnel field-effect transistor with bias-induced electron–hole bilayer

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Chinese Physics B 2023年第6期32卷 290-297页

作者：王雪珂孙亚宾刘子玉刘赟李小进石艳玲 department of Electrical Engineering East China Normal UniversityShanghai 200241China School of microelectronics Fudan UniversityShanghai 200433China

The single event transient(SET)effect in nanotube tunneling field-effect transistor with bias-induced electron–hole bilayer(EHBNT-TFET)is investigated by 3-D TCAD simulation for the first *** effects of linear energy transfer(LET),characteristic radius,strike angle,electrode bias and hit location on SET response are evaluated in *** simulation results show that the peak value of transient drain current is up to 0.08 m A for heavy ion irradiation with characteristic radius of 50 nm and LET of 10 Me V·cm^(2)/mg,which is much higher than the on-state current of *** SET response of EHBNT-TFET presents an obvious dependence on LET,strike angle,drain bias and hit *** LET increases from 2 Me V·cm^(2)/mg to 10 Me V·cm^(2)/mg,the peak drain current increases monotonically from 0.015 mA to 0.08 *** strike angle has an greater impact on peak drain current especially for the smaller characteristic *** peak drain current and collected charge increase by 0.014 mA and 0.06 fC,respectively,as the drain bias increases from 0.1 V to 0.9 *** from the horizontal or the vertical direction,the most sensitive hit location is related to *** underlying physical mechanism is explored and discussed.

关键词： heavy ion strike EHBNT-TFET single event transient(SET) transient drain current

基于PZT的500MHz超声传感器设计和MEMS制作

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传感器与微系统 2018年第7期37卷 63-65,69页

作者：刘嘉王续博徐卫疆周嘉复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 法国国家科研中心电子微电子与纳米技术研究所UMR CNRS 8520 瓦朗谢纳埃诺-坎布雷斯大学声光电子学部法国F-59313

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研... 详细信息

利用KLM等效电路模型设计了一种中心频率为478 MHz的超声传感器。采用溶胶—凝胶法在硅衬底上制备了厚度为4μm的锆钛酸铅(PZT)厚膜压电材料,对压电材料的晶体结构、表面剖面形貌、压电性进行了测试,材料均匀致密,具有较好的压电性。研究了超声传感器的制作工艺,制作出实际工作频率为459 MHz的高频超声传感器,搭建测试平台测试其电阻抗,实验值与理论值相匹配,电阻抗误差为1.8%,中心频率误差为3.9%。

关键词：超声传感器高频锆钛酸铅厚膜压电材料