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GaN基量子限制结构上转换荧光光谱
GaN基量子限制结构上转换荧光光谱
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第五届全国光学前沿问题研讨会
作者： 熊贵光 j.leymarie A.Vasson L.Siozade 武汉大学暂理系 LASMEA-CNRS University 0f Blaise．Pascal F．63177 Frallce LASMEA-CNRS University 0f Blaise．Pascal F．63177 Frallce LASMEA-CNRS University 0f Blaise．Pascal F．63177 Frallce
＜正＞由于宽禁带 GaN 基半导体激光器在水下通信以及光信息高密度高分辨率存贮中具有极为重要的应用,多年来 GaN 基材料及其激光器件的研究一直受到各国科学家的高度重视．尽管1999年1月 InGaN 紫光/蓝光边发射激光器已成为商品,但由...
来源： cnki会议 评论
Edge-emitting polariton laser and amplifier based on a ZnO waveguide
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Light(Science & Applications) 2018年 第1期7卷 247-254页
作者： O.jamadi F.Reveret P.Disseix F.Medard j.leymarie A.Moreau D.Solnyshkov C.Deparis M.Leroux E.Cambril S.Bouchoule j.Zuniga-Perez G.Malpuech Institut Pascal PHOTON-N2UniversitéClermont AuvergneCNRSSIGMA ClermontF-63000 Clermont-FerrandFrance UCA CRHEA-CNRSValbonne F-06560France Centre Nanosciences et Nanotechnologies(C2N) CNRSUniversity Paris-SaclayMarcoussis F-91460France
We demonstrate edge-emitting exciton-polariton(polariton)laser operation from 5 to 300 K and polariton amplifiers based on polariton modes within ZnO *** guided mode dispersion below and above the lasing threshold is ... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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