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Critical analysis of ineffective post implantation implantable cardioverter-defibrillator-testing

World journal of Cardiology 2017年第2期9卷 167-173页

作者： Markus Roos j christoph geller Marc-Alexander Ohlow Heart Center Salzburger Leite Zentralklinik Bad Berka Division of CardiologyRobert Koch Allee

AIM To test of the implantable-cardioverter-defibrillator is done at the time of implantation. We investigate if any testing should be *** All consecutive patients between january 2006 and December 2008 undergoing implantable cardioverterdefibrillator(ICD) implantation/replacement(a total of 634 patients) were included in the retrospective *** Sixteen patients(2.5%) were not tested(9 with LA/LVthrombus, 7 due to operator's decision). Analyzed were 618 patients [76% men, 66.4 + 11 years, 24% secondary prevention(SP), 46% with left ventricular ejection fraction(LVEF) j. In 22/618 patients(3.6%) induced ventricular fibrillation(VF) could not be terminated with maximum energy of the ICD. Six of those(27%) had successful SMT after system modification or shock lead repositioning, 14 patients(64%) received a subcutaneous electrode array. Younger age(P = 0.0003), non-CAD(P = 0.007) and VF as index event for SP(P = 0.05) were associated with a higher incidence of ineffective SMT. LVEF 10 j.

关键词： Implantable cardioverter defibrillator Implantable cardioverter-defibrillator Sudden cardiac death Defibrillation test Safety margin test Ventricular fibrillation Subcutaneous electrode array

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Spatially Resolved Photoelectric Performance of Axial GaAs Nanowire pn-Diodes

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Nano Research 2011年第10期4卷 987-995页

作者： Andrey Lysov Sasa Vinaji Matthias Offer christoph Gutsche Ingo Regolin Wolfgang Mertin Martin geller Werner Prost Gerd Bacher Franz-josef Tegude Center for Nanointegration Duisburg-Essen University of Duisburg-Essen 47048 Duisburg Germany

The spatially resolved photoelectric response of a single axial GaAs nanowire pn-diode has been investigated with scanning photocurrent and Kelvin probe force microscopy. Optical generation of carriers at the pn-junction has been shown to dominate the photoresponse. A photocurrent of 88 pA, an open circuit voltage of 0.56 V and a fill factor of 69% were obtained under AM 1.5 G conditions. The photocurrent followed the increasing photoexcitation with 0.24 A/W up to an illumination density of at least 90 W/cm2, which is important for potential applications in concentrator solar cells.

关键词： GaAs nanowire solar cells scanning photocurrent microscopy Kelvin probe force microscopy electroluminescence

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