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Forward Cascaded Stimulated Brillouin Scattering (SBS) in a S band Distributed G652 Fiber Raman Amplifier

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Forward Cascaded Stimulated Brillouin Scattering (SBS) in a ...

Study and Manufacture of Gain Flattened S-band DistributedDispersion Compensation fiber Raman amplifier

Photonics Asia 2004;Sensors and Imaging

作者： insoo S.kim Optical Technology Research Group Korea Electrotechnology ResearchInstitute Seoul 437-808 Korea

The cascaded forward stimulated Brillouin scattering (SBS) in the S band distributed G652 fiber Raman amplifier forward pumped and backward pumped by the tunable power fiber laser and signal source is

关键词： Fiber optics and Optical communication,Brillouin scattering,stimulated Brillouin scattering,forward transmit sound wave-guide Brillouin scattering,stimulated Raman scattering,distributed fiber Raman amplifier.

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Study and Manufacture of Gain Flattened S-band DistributedDi...

Amplification effect on stimulated Brillouin scattering in the S-band forward G652 fiber Raman amplifier

20th Congress of the International Commission for Optics

作者： insoo S.kim Optical Technology Research Group Korea Electrotechnology Research Institute Seoul 437-808 Korea

Now the communication band of fiber focuses on C-band, but with increasing demand of fiber communication capacity, the communication band will extend to the S-band and L-band and fiber Raman amplifier

关键词： Fiber optics and optical communication Fiber optics amplifier and oscillators Stimulated Raman scattering Dispersion compensation fiber Raman amplifier Chirped Bragg fiber grating filter Telecommunication band of fiber

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Chinese Optics Letters 2005年第11期3卷 629-632页

作者：张在宣戴碧智李来晓徐海峰刘红林王剑锋李晨霞 insoo S.kim Optoelectronics Technology Institute China Jiliang University Hangzhou 310018 Optoelectronics Technology Institute China Jiliang University Hangzhou 310018 College of Optics and Electronics University of Shanghai for Science and Technology Shanghai 200093 Optoelectronics Technology Institute China Jiliaag University Hangzhou 310018 Optoelectronics Technology Institute China Jiliang University Hangzhou 310018 College of Optics and Electronics University of Shanghai for Science and Technology Shanghai 200093 Optical Technology Research Group Korea Electrotechnology Research Institute Seoul 437-808 Korea

The amplification effects on forward and backward stimulated Brillouin scattering （SBS） lines in the forward pumped S-band distributed G652 fiber Raman amplifier （FRA） have been studied. There is a pump threshold power of Stokes backward stimulated Brillouin scattering （B-SBS） line in the forward pumped G652 FRA, it is about 1 mW. The Stokes B-SBS lines are amplified by FRA and fiber Brillouin amplifier （FBA）. The gain of amplification is given as Ga = GR· GB where Get is Raman gain and GB is Brillouin gain. In experimental work, the saturation gain of the first order Stokes backward SBS line is about 58 dB and the saturation gain of 25-km G652 forward FRA is about 25 dB, so the gain of FBA is about 33 dB. The forward stimulated Brillouin scattering （F-SBS） is generated and amplified in S-band G652 FRA. The stimulated threshold powers of the forward first order Stokes SBS （SB1^-）, second order Stokes SBS （SB2^-）, and third order SBS （SB3） in the forward pumped FRA are 2.3, 1.6, and 1.6 mW, respectively. In experimental work, the saturation gains of SB1^-, SB2^, and SB3 are about 38, 62, and 60 dB, respectively. The saturation Raman gain of 25-km G652 forward FRA is about 8.8 dB, so the Brillouin gains of SB1^-, SB2^-, and SB3 are about 29.2, 53.2, and 51.2 dB, respectively. The forward and backward cascaded SBS lines have been observed.

关键词： Light amplifiers Optical fibers Optical pumping

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G652光纤中背向自发拉曼散射的增益特性

光电子．激光 2006年第7期17卷 895-898页

作者：王剑锋张在宣徐海峰余向东 insoo S kim 中国计量学院光电子技术研究所浙江杭州310018 韩国电气技术研究院

讨论了背向自发Raman散射脉冲在自生分布式G652光纤Raman放大器中传输的增益特性。实验发现,反Stokes Raman(ASR)和Stokes Raman(SR)自生分布式脉冲光纤Raman放大器的阈值抽运峰值功率是25.4 W和18.0 W。在入射功率为52 W时,ASR和SR的... 详细信息

讨论了背向自发Raman散射脉冲在自生分布式G652光纤Raman放大器中传输的增益特性。实验发现,反Stokes Raman(ASR)和Stokes Raman(SR)自生分布式脉冲光纤Raman放大器的阈值抽运峰值功率是25.4 W和18.0 W。在入射功率为52 W时,ASR和SR的增益分别为5.0 dB和8.6 dB。放大的反Stokes和Stokes背向自发Raman散射光时域反射(OTDR)曲线上放大的阈值时间位置随激发功率的增高前移并具有规律性。放大的ASR背向自发散射强度受光纤温度调制,具有温度效应,已应用于远程分布光纤Raman温度传感器系统。

关键词： Raman散射效应背向自发Raman散射光纤受激Raman散射(SRS) 单模光纤放大的背向自发反Stokes Raman(ASR)散射温度效应光时域反射(OTDR)

30km远程分布光纤拉曼温度传感器系统的实验研究

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中国激光 2004年第5期31卷 613-616页

作者：张在宣王剑锋刘红林余向东郭宁 insoo S.kim 中国计量学院光电子技术研究所浙江杭州310034 韩国电气技术研究院

研制成功一套 30km远程分布光纤拉曼温度传感器 (DOFRTS)系统 ,采用了新的光纤放大的反斯托克斯背向拉曼自发散射测温原理和 15 5 0nm掺铒光纤激光器作为抽运源及高速瞬态波形采样技术 ,累加平均等信号处理技术 ,提高了信噪比 ,解决了... 详细信息

研制成功一套 30km远程分布光纤拉曼温度传感器 (DOFRTS)系统 ,采用了新的光纤放大的反斯托克斯背向拉曼自发散射测温原理和 15 5 0nm掺铒光纤激光器作为抽运源及高速瞬态波形采样技术 ,累加平均等信号处理技术 ,提高了信噪比 ,解决了弱信号检测问题。使用智能化恒温技术 ,使主要元器件在恒温条件下工作 ,解决了工程应用中环境的适应性问题。经鉴定 ,远程分布光纤拉曼温度传感器系统的主要技术指标如下 :光纤长度为 31km ,测温范围为 0～ 10 0℃ (可扩展 ) ,温度测量不确定度为± 2℃ ,温度分辨率为 0 1℃ ,测量时间为 4 32s,空间分辨率为 4m。

关键词：传感器技术光纤传感器背向拉曼散射光纤放大反斯托克斯拉曼自发散射光时域反射技术

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全光纤调Q掺铒光纤激光器的脉冲研究

光子学报 2002年第8期31卷 989-992页

作者：夏江珍蔡海文任虹瞿荣辉陈高庭方祖捷 kim insoo S 中国科学院上海光学精密机械研究所上海*** Korea Electrotechnology Research Institute

报道一种全光纤调Q掺铒光纤激光器 ,在其结构中采用带有光纤光栅的光纤环形镜作为调Q装置此调Q方案同时具有对腔内损耗进行调制和对激光输出波长选择的功能理论上分析了不同臂长差时的脉冲出现情况 ,与实验基本相符

关键词：掺铒光纤激光器脉冲光纤激光器臂长差光纤光栅光纤环形镜调Q激光器

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掺铒光纤环形激光器输出特性的研究

光学学报 2003年第7期23卷 823-827页

作者：夏江珍蔡海文任虹李琳赵岭陈高庭方祖捷 insoo S.kim 中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 韩国电气技术研究所韩国昌原641600

根据掺铒光纤激光器的速率方程 ,对环形腔光纤激光器的输出特性进行了理论分析 ,得到了光纤激光器在稳态条件下阈值抽运功率、激光输出功率和斜率效率的解析表达式。利用数值模拟结果对光纤激光器的这些基本特性参量进行了分析和讨论 ,... 详细信息

根据掺铒光纤激光器的速率方程 ,对环形腔光纤激光器的输出特性进行了理论分析 ,得到了光纤激光器在稳态条件下阈值抽运功率、激光输出功率和斜率效率的解析表达式。利用数值模拟结果对光纤激光器的这些基本特性参量进行了分析和讨论 ,为光纤环形激光器的优化设计提供了依据。并进行了 980nm抽运的掺铒光纤激光器的实验。

关键词：掺铒光纤环形激光器速率方程稳态特性输出特性优化设计阈值输出功率斜率效率

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30km远程分布光纤拉曼温度传感器系统

光电子．激光 2004年第10期15卷 1174-1177页

作者：张在宣王剑锋刘红林余向东郭宁 insoo S.kim 中国计量学院光电子技术研究所浙江杭州310034 韩国电气技术研究院

研制了30km远程分布光纤拉曼温度传感器(DOFRTS)系统。采用了新的光纤放大的反斯托克斯背向拉曼自发散射测温原理,用1550nm掺铒光纤激光器作为抽运源,采用高速瞬态波形采样技术和累加平均等信号处理技术,提高了信噪比,解决了弱信号检测... 详细信息

研制了30km远程分布光纤拉曼温度传感器(DOFRTS)系统。采用了新的光纤放大的反斯托克斯背向拉曼自发散射测温原理,用1550nm掺铒光纤激光器作为抽运源,采用高速瞬态波形采样技术和累加平均等信号处理技术,提高了信噪比,解决了弱信号检测问题;采用了智能化恒温技术,使主要元器件在恒温条件下工作,解决了工程应用中环境的适应性。远程DOFRTS已达到的主要技术指标为:光纤长度31km;测温范围0～100℃(可扩展);温度测量不确定度±2℃;温度分辨率0.1℃;测量时间432s;空间分辨率4m。

关键词：掺铒光纤激光器布光抽运温度分辨率弱信号检测远程信噪比温度传感器可扩展系统

Understanding the correlation between energy-state mismatching and open-circuit voltage loss in bulk heterojunction solar cells

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Carbon Energy 2024年第5期6卷 164-174页

作者： Hyun-Seock Yang Danbi kim Chang-Mok Oh Vellaiappillai Tamilavan Pesi MHangoma Hojun Yi Bo RLee insoo Shin In-Wook Hwang Sung Heum Park Pukyong National University BusanRepublic of Korea Clarendon Laboratory University of OxfordOxfordUK Institute of Energy Transport and Fusion Research Pukyong National UniversityBusanRepublic of Korea Advanced Photonics Research Institute Gwangju Institute of Science and TechnologyGwangjuRepublic of Korea Department of Chemical and Biomolecular Engineering Tandon School of EngineeringNew York UniversityBrooklynNew YorkUSA

Photoinduced intermolecular charge transfer(PICT)determines the voltage loss in bulk heterojunction(BHJ)organic photovoltaics(OPVs),and this voltage loss can be minimized by inducing efficient PICT,which requires energy-state matching between the donor and acceptor at the BHJ ***,both geometrically and energetically accessible delocalized state matching at the hot energy level is crucial for achieving efficient *** this study,an effective method for quantifying the hot state matching of OPVs was *** degree of energy-state matching between the electron donor and acceptor at BHJ interfaces was quantified using a mismatching factor(MF)calculated from the modified optical density of the ***,the correlation between the open-circuit voltage(Voc)of the OPV device and energy-state matching at the BHJ interface was investigated using the calculated *** OPVs with small absolute MF values exhibited high Voc *** result clearly indicates that the energy-state matching between the donor and acceptor is crucial for achieving a high Voc in *** the MF indicates the degree of energy-state matching,which is a critical factor for suppressing energy loss,it can be used to estimate the Voc loss in OPVs.

关键词： bulk heterojunction open circuit voltage organic photovoltaics photoinduced charge transfer voltage loss