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Nanoscale deformation of multiaxially forged ultrafine-grained Mg-2Zn-2Gd alloy with high strength-high ductility combination and comparison with the coarse-grained counterpart

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Journal of Materials Science & Technology 2018年第2期34卷 311-316页

作者： K. li V.S.Y.Injeti P. Trivedi l.e. Murr R.D.K. Misra Department of Metallurgical Materials and Biomedical Engineering University of Texas at El Paso 500 W. University Avenue El Paso TX 79968-0521 USA

Cold processing of magnesium （Mg） alloys is a chal.e.ge because Mg has a hexagonal close-packed （HCP） lattice with limited slip systems, which makes it difficult to plastically deform at low temperature. To address this chal.e.ge, a combination of annealing of as-cast alloy and multi-axial forging was adopted ro obtain isotropic ultrafine-grained （UFG） structure in a lean Mg-2Zn-2Gd alloy with high strength （yield strength： ~227 MPa）-high ductility （% elongation：～30%） combination. This combination of strength and ductility is excel.e.t for the lean alloy, enabling an understanding of deformation processes in a formable high strength Mg-rare earth alloy. The nanoscale deformation behavior was studied via nanoindentation and electron microscopy, and the behavior was compared with its low strength （yield strength：～46 MPa） - low ductility （% elongation：～7%） coarse-grained （CG） counterpart. In the UFG alloy, extensive dislocation slip was an active deformation mechanism, while in the CG alloy, mechanical twinning occurred. The differences in the deformation mechanisms of UFG and CG alloys were reflected in the discrete burst in the load-displacement plots. The deformation of Mg-2Zn-2Gd alloys was significantly infl.e.ced by the grain structure, such that there was change in the deformation mechanism from dislocation slip （non-basal slip） to nanoscale twins in the CG structure. The high plasticity ofUFG Mg alloy invol.e. high dislocation activity and change in activation volume.

关键词： Magnesium alloy Ultrafine-grained Nanoscale deformation

Recent Advances of Multi-Channel Transmission in Metro Access Networks

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光学学报 2003年第S1期23卷 731-732页

作者： H.J. Thiele l.e. Nelson B. eichenbaum S.K. Das OFS 791 Holmdel-Keyport Road Holmdel NJ 07733OFS 791 Holmdel-Keyport Road Holmdel NJ 07733OFS 19 Schoolhouse Road Somerset NJ 08873OFS 19 Schoolhouse Road Somerset NJ 08873

We discuss the concept of coarse wavelength-division multiplexing (CWDM) for metro networks. After reviewing the requirements on components such as lasers and fiber, we propose different architectures for a flexible u... 详细信息

关键词： CWDM on as of Recent Advances of Multi-Channel Transmission in Metro Access Networks DWDM in

Separation, Purification and Identification 1

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丛书名： The molecular world

2002年

作者： l.e. Smart (editor)

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高分子和复合材料的力学性能

高分子和复合材料的力学性能

作者： l.e.尼尔森(l.e. Niel.e.)

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创造性地降低成本第1版

创造性地降低成本

丛书名：书名原文: Creative cost improvement for managers

1987年

作者：（美）l.e.泰格里弗瑞

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高聚物的力学性能第1版

塔米尼奥：“海德格尔和胡塞尔的《逻辑研究》——海德格尔最后一次讨论课纪念”

1966年

作者：（美）l.e.尼尔生冯之榴等译

高聚物的力学性能

关键词：高聚物力学性质

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哲学动态 2006年第1期 74-75页

作者： Moran,D embree,l.e. 陈志远

《存在与时间》所表达的对胡塞尔的感激和称赞不能掩盖那里表达的分歧和批评。海格尔在现象学研究和先天方法上都表示了对胡塞尔的感谢，但也指出了胡塞尔忽略了存在问题。尤其在此在问题上，他认为，通达此在的有效路径是对我的心理行... 详细信息

《存在与时间》所表达的对胡塞尔的感激和称赞不能掩盖那里表达的分歧和批评。海格尔在现象学研究和先天方法上都表示了对胡塞尔的感谢，但也指出了胡塞尔忽略了存在问题。尤其在此在问题上，他认为，通达此在的有效路径是对我的心理行为的纯粹知觉和形的反思，这样给予的东西是自明的，是对日常领会的此在概念的视而不见。胡塞尔将存在看为我思之物，并未与笛卡尔的“我思故我在”传统分离开来，客体被看做认识主体之“内”的东西，主客体都成了现成物，胡塞尔严格要求的有效存在的主体遮蔽了存在问题。

关键词：胡塞尔《逻辑研究》海德格尔 “我思故我在” 讨论课《存在与时间》纪念心理行为认识主体

The Third Dimension 1

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Optimization of Pul.e.laser Annealing to Increase Sharpness of Implanted-junction Rectifier in Semiconductor Heterostructure

2002年

作者： l.e. Smart J.M.F. Gagan

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Nano-Micro letters 2010年第4期2卷 256-267页

作者： e.l.Pankratov Nizhny Novgorod State University of Architecture and Civil.e.gineering

It has been recently shown that inhomogeneity of a semiconductor heterostructure leads to increasing of sharpness of diffusion-junction and implanted-junction rectifiers,which are formed in the semiconductor *** has been also shown that together with increasing of the sharpness,homogeneity of impurity distribution in doped area *** both effect could be increased by formation of an inhomogeneous distribution of temperature(for example,by laser annealing).Some conditions on correlation between inhomogeneities of the semiconductor heterostructure and temperature distribution have been *** time has been optimized for pul.e.laser annealing.

关键词： Pul.e.laser Implanted-juction rectifier Heterostructure