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3D Multi-gate Transistors： Concept, Operation, and Fabrication
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Journal of Electrical Engineering 2015年 第1期3卷 1-14页
作者： Nader Shehata Abdel-Rahman Gaber Ahmed Naguib Ayman E. Selmy Hossam Hassan ibrahim shoeer Omar Ahmadien Rewan Nabeel Department of Engineering Mathematics and Physics Faculty of Engineering Alexandria University Alexandria 21544 Egypt CSNP (Center of Smart Nanotechnology and Photonics) Smart CI Research Center Alexandria University Alexandria 21544Egypt Department of Electrical Engineering Faculty of Engineering Alexandria University Alexandria 21544 Egypt School of Sciences and Engineering the American University in Cairo P.O. Box 74 New Cairo 11835 Egypt
The multi-gate transistors such as Fin-FETs, Tri-gate FETs, and Gate-all-around (GAA) FETs are remarkable breakthrough in the electronic industry. 3D Transistor is taking the place of the conventional 2D planar transi... 详细信息
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