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Photoresponse and H2 gas sensing properties of highly oriented Al and Al/Sb doped ZnO thin films

Progress in Natural Science:Materials International 2013年第6期23卷 519-523页

作者： hannane benelmadjat Boubekeur Boudine Aissa Keffous Noureddine Gabouze Laboratoire de Physico-Chimie des Semi-Conducteurs Departement de PhysiqueFaculte des Sciences ExactesUniversite Mentouri-Route Ain Elbey Laboratoire de Cristallographie Departement de PhysiqueFaculte des Sciences ExactesUniversite Mentouri-Route Ain Elbey Silicon Technology Development Unit

ZnO:Al and ZnO:Al/Sb thin films have been prepared and *** thin films were deposited on Si substrates by the sol-gel *** structural,optical and electrical properties of ZnO films have been investigated by spectrophotometry,ellipsometry,X-ray diffraction and current-voltage *** is found that the films exhibit wurtzite structure with a highly c-axis orientation perpendicular to the surface of the substrate,a high reflectivity in the infrared region and a response to ***,it has been found that Si/（ZnO:Al/Sb）/Al photodiode is promising in photoconduction device while Si/（ZnO:Al）/Al can be used as gas sensor responding to the low H2concentrations.

关键词： Zinc oxide Co-doping Thin films Gas sensing Photoresponse

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