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Evaluation of 1.2 kV SiC MOSFETs in Multilevel Cascaded H-bridge Three-phase Inverter for Medium-voltage Grid Applications

引用

Chinese Journal of Electrical Engineering 2019年第2期5卷 1-13页

作者： haider mhiesan Janviere Umuhoza Kenneth Mordi Chris Farnell H.Alan Mantooth Department of Electrical Engineering University of ArkansasFayettevilleARUSA Failure Analysis Engineer at Murata Power Solutions Greater BostonMAUSA Electrical Design Engineer at Benchmark Group Inc.Rogers ArkansasUSA

A study is conducted to evaluate 1.2 kV silicon-carbide(SiC)MOSFETs in a cascaded H-bridge(CHB)three-phase inverter for medium-voltage *** main purpose of this topology is to remove the need for a bulky 60 Hz transformer normally used to step up the output signal of a voltage source inverter to a medium-voltage *** SiC devices(1.2-6.5 kV SiC MOSFETs)which have a high breakdown voltage,enables the system to meet and withstand the medium-voltage stress using only a minimal number of cascaded *** SiC-based power electronics when used in the presented topology considerably reduce the complexity usually encountered when Si devices are used to meet the medium-voltage level and power *** and preliminary experimental results on a low-voltage prototype verifies the nine-level CHB topology presented in this study.

关键词： SiC switching devices cascaded h-bridge inverter medium voltage AC grid energy storage

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