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Plasma Model of Generation and Slip of Linear Defects in Crystalline Materials

Applied Mathematics 2020年第11期11卷 1167-1177页

作者： v. L. Busov grechkina margarita v.adimirov.a Donbass State Engineering Academy Kramatorsk Ukraine Experimental Equipment Department of voronezh State University Voronezh Russia

In dielectrics and semiconductors, a plasma model of the generation and slip of dislocations is considered, where under shock loads in a generalized space of rectangular pulses an alternating field forms a distribution of pairs of photoelectrons and cations;these electrons with velocities ve create δ-collisions with cold plasma from free electrons and holes with masses me and mh (mh ≫ me), they emit and absorb longitudinal electron plasma waves whose phase velocities wpw / kpw are close to or are equal to the velocities ve, while the frequencies wpw and wave numbers kpw of the wave packet of plasma waves are complex, the short-wave components of this wave packet at kpw ⋅ ae ≫ 1 (ae -Debye screening radius) decay in the core linear defect, and its long-wavelength components propagate in the region of the medium surrounding the core of the defect at kpw ⋅ ae ≅ 1. When a defect is generated, the dist

关键词： Solid-State Plasma Debye Screening Radius Charged Particle Collisions Plasma Wave Flows of Dynamic Correlations of Density Potential Fluctuations

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