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Modeling of tunneling current density of GeC based double barrier multiple quantum well resonant tunneling diode

Journal of Semiconductors 2018年第10期39卷 34-38页

作者： Swagata Dey Vedatrayee Chakraborty Bratati Mukhopadhyay gopa sen Institute of Radio Physics and Electronics University of CalcuttaKolkata 700009India B.p.Poddar Institute of Management and Technology(ECE Dept) Kolkata 700052India

The double barrier quantum well（DBQW） resonant tunneling diode（RTD） structure made of SiGeSn/GeC/SiGeSn alloys grown on Ge substrate is analyzed. The tensile strained Ge（1-z）Cz on Si（1-x-y）GexSny heterostructure provides a direct band gap type I configuration. The transmission coefficient and tunneling current density have been calculated considering single and multiple quantum wells. A comparative study of tunnelling current of the proposed structure is done with the existing RTD structure based on GeSn/SiGeSn DBH. A higher value of the current density for the proposed structure has been obtained.

关键词： DBQW MQW RTD NDR tunneling current density

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