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Nanoscale strained-Si MOSFET physics and modeling approaches:a review
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Journal of Semiconductors 2010年 第10期31卷 19-23页
作者： Amit Chaudhry J.N.Roy garima joshi University Institute of Engineering and Technology Panjab University Solar Semiconductor Private Limited
An attempt has been made to give a detailed review of strained silicon technology. Various device models have been studied that consider the effect of strain on the devices, and comparisons have been drawn. A review o... 详细信息
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