检索结果-南通市图书馆

基于LS-DYNA的圆锯片切割石材数值仿真研究

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机械科学与技术 2013年第6期32卷 884-887页

作者：姚涛段国林高扬河北工业大学机械工程学院天津300130

针对圆锯片切割石材的复杂非线性动力学行为,依据硬脆材料断裂机理,基于ANSYS/LS-DYNA建立了锯片-石材切割系统的有限元仿真分析模型。动态模拟了切割过程中石材锯路的生成以及石材颗粒的断裂、破坏过程,模型采用对称罚函数接触算法和... 详细信息

针对圆锯片切割石材的复杂非线性动力学行为,依据硬脆材料断裂机理,基于ANSYS/LS-DYNA建立了锯片-石材切割系统的有限元仿真分析模型。动态模拟了切割过程中石材锯路的生成以及石材颗粒的断裂、破坏过程,模型采用对称罚函数接触算法和动力学方程的显式中心差分求解方法,并基于LS-PREPOSTD后处理获得加工系统的动力学响应。结果显示了不同切割时刻锯片表面和石材内部的应力分布情况,能够直观形象地确定模型最先破坏的区域,揭示了石材微观破碎、裂纹生成及成屑机理。仿真结果证明了建模方法的可行性与正确性。

关键词：数值方法模型有限元法动力学响应应力

流动注射原子吸收光谱法测定大白口蘑中的微量硒

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光谱学与光谱分析 2007年第9期27卷 1851-1853页

作者：刘鸿高王元忠李涛沙本才云南农业大学农学与生物技术学院云南昆明650201 云南英茂生物技术实验室云南昆明650212 玉溪师范学院云南玉溪653100

探讨了流动注射氢化物发生-原子吸收光谱法测定微量硒时的最佳条件,建立了大白口蘑（Tricholoma giganteum Massee）中微量硒的流动注射氢化物发生-原子吸收光谱分析方法。本法操作简便、快速,灵敏度高,测定硒的线性范围为0-50μg·L^-1... 详细信息

探讨了流动注射氢化物发生-原子吸收光谱法测定微量硒时的最佳条件,建立了大白口蘑（Tricholoma giganteum Massee）中微量硒的流动注射氢化物发生-原子吸收光谱分析方法。本法操作简便、快速,灵敏度高,测定硒的线性范围为0-50μg·L^-1,相对标准偏差小于3%,加标回收率为96%-105%。应用于大白口蘑样品中微量硒的测定,获得满意结果。

关键词：流动注射氢化物发生-原子吸收光谱法大白口蘑硒

机载激光雷达技术在高速公路横断面测量中的应用

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测绘通报 2023年第S1期 11-14页

作者：高波纵瑾李涛山东鲁邦地理信息工程有限公司山东济南250102 山东数维空间测绘技术有限公司山东济南250102 山东省国土测绘院山东济南250100

机载激光雷达凭借独有的装备、技术、精度、数据优势,在高速公路横断面测量具有传统测绘无可比拟的优势。本文结合具体工程案例,通过对关键技术的研究和应用,实现地面点云高程中误差优于10 cm的精度要求,并能显著提升线路测量工作效率。

关键词：无人机激光雷达点云横断面公路测量

Large-scale multiferroic complex oxide epitaxy with magnetically switched polarization enabled by solution processing

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National Science Review 2020年第1期7卷 84-91页

作者： Cong Liu Feng An Paria S.M.Gharavi Qinwen Lu Junkun Zha Chao Chen Liming Wang Xiaozhi Zhan Zedong Xu Yuan Zhang Ke Qu Junxiang Yao Yun Ou Zhiming Zhao Xiangli Zhong Dongwen Zhang Nagarajan Valanoor Lang Chen tao Zhu Deyang Chen Xiaofang Zhai Peng gao Tingting Jia Shuhong Xie gaokuo Zhong Jiangyu Li Shenzhen Key Laboratory of Nanobiomechanics Shenzhen Institutes of Advanced Technology Chinese Academy of Sciences School of Materials Science and Engineering Xiangtan University School of Materials Science and Engineering University of New South Wales Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale and Department of Chemical Physics University of Science and Technology of China Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology South China Academy of Advanced Optoelectronics South China Normal University Dongguan Neutron Science Center Department of Physics Southern University of Science and Technology International Center for Quantum Materials and Electron Microscopy Laboratory School of Physics Peking University Hunan Provincial Key Laboratory of Health Maintenance for Mechanical Equipment Hunan University of Science and Technology Department of Physics College of Science National University of Defense Technology Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics Chinese Academy of Sciences Songshan Lake Materials Laboratory Dongguan Neutron Science Center

Complex oxides with tunable structures have many fascinating properties, though high-quality complex oxide epitaxy with precisely controlled composition is still out of reach. Here we have successfully developed solution-based single-crystalline epitaxy for multiferroic（1-x）BiTi;/;Fe;Mg;/;O;–（x）CaTiO;（BTFM–CTO） solid solution in large area, confirming its ferroelectricity at the atomic scale with strong spontaneous polarization. Careful compositional tuning leads to a bulk magnetization of 0.07 ± 0.035 μB/Fe at room temperature, enabling magnetically induced polarization switching exhibiting a large magnetoelectric coefficient of 2.7–3.0 × 10;s/m. This work demonstrates the great potential of solution processing in large-scale complex oxide epitaxy and establishes novel room-temperature magnetoelectric coupling in epitaxial BTFM–CTO film, making it possible to explore a much wider space of composition,phase, and structure that can be easily scaled up for industrial applications.

关键词： complex oxide solution method epitaxy multiferroic

基于改进MDL准则的电能质量信号消噪新方法

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高电压技术 2008年第10期34卷 2216-2220页

作者：程思勇高磊李严青陈涛广西电力工业勘察设计研究院南宁530023 中国电力科学研究院北京100192 浙江省磐安县供电局金华322300 广东电网公司汕头供电局汕头515041

电力系统中电能质量信号往往含有大量的噪声,这将会在很大程度上影响检测的效果。为了有效地消除噪声,基于MDL准则提出了将MDL函数的第2项改为信号的剩余能量比以提高消噪能力的改进算法,同时给出了改进后MDL函数参数确定的方法,讨论了... 详细信息

电力系统中电能质量信号往往含有大量的噪声,这将会在很大程度上影响检测的效果。为了有效地消除噪声,基于MDL准则提出了将MDL函数的第2项改为信号的剩余能量比以提高消噪能力的改进算法,同时给出了改进后MDL函数参数确定的方法,讨论了小波分解层数的确定及小波基函数的选取等问题。对不同电能质量信号进行消噪处理时该新方法能得到最优的分解层数和小波基函数,消噪后信号具有较高的信噪比且信号的剩余能量比高。仿真结果表明:该新方法优于小波分析的电能质量消噪方法和基于MDL准则的电能质量消噪方法,取得了令人满意的消噪效果。

关键词： MDL准则电能质量消噪小波分析方法仿真

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飞机装配工艺设计知识本体

西北工业大学学报 2007年第1期25卷 32-36页

作者：丘宏俊陶华高晓兵闫雪西北工业大学机电学院陕西西安710072

如何用计算机描述复杂、经验性的飞机装配工艺设计知识是尚未解决的难题,制约着人工智能技术在飞机装配领域的应用研究。以建立飞机部件装配工艺知识模型为目标,以本体论为指导思想,收集并深入分析了飞机装配工艺设计领域的专家知识数据... 详细信息

如何用计算机描述复杂、经验性的飞机装配工艺设计知识是尚未解决的难题,制约着人工智能技术在飞机装配领域的应用研究。以建立飞机部件装配工艺知识模型为目标,以本体论为指导思想,收集并深入分析了飞机装配工艺设计领域的专家知识数据,总结出影响飞机装配工艺设计的十大因素。对有关领域知识数据进行转换、重构的概念化处理,形成了6个可用计算机描述的概念化领域术语并确立了它们之间的关系,构建了飞机装配工艺设计领域知识的本体模型,初步解决了装配知识计算机描述的问题,为人工智能在飞机装配领域的应用奠定了基础。最后,基于框架表示法,给出了装配知识本体形式化描述的BNF(Backus Normal Form)。

关键词：飞机装配工艺设计知识本体领城

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基于中位数法的抗差总体最小二乘估计

测绘学报 2016年第3期45卷 297-301页

作者：陶叶青高井祥姚一飞淮海工学院测绘工程学院江苏连云港222005 中国矿业大学环境与测绘学院江苏徐州221008

针对现有总体最小二乘抗差算法存在的缺陷,应用中位数法确定模型参数的初值,提出了对模型的观测向量与系数矩阵中的观测元素进行分类定权的思想,避免了中误差估计偏差与随机模型误差对等价权函数抗差性的影响。基于中位数法建立总体最... 详细信息

针对现有总体最小二乘抗差算法存在的缺陷,应用中位数法确定模型参数的初值,提出了对模型的观测向量与系数矩阵中的观测元素进行分类定权的思想,避免了中误差估计偏差与随机模型误差对等价权函数抗差性的影响。基于中位数法建立总体最小二乘抗差迭代算法,并结合算例对算法进行验证。结果表明,在相同观测样本条件下,本文提出的算法拟合的精度高于传统算法拟合的精度。

关键词：总体最小二乘抗差估计中位数

Characterization of HfSiAlON/MoAlN PMOSFETs Fabricated by Using a Novel Gate-Last Process

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Chinese Physics Letters 2013年第8期30卷 156-159页

作者： XU gao-Bo XU Qiu-Xia YIN Hua-Xiang ZHOU Hua-Jie YANG tao NIU Jie-Bin HE Xiao-Bin MENG Ling-Kuan YU Jia-Han LI Jun-Feng YAN Jiang ZHAO Chao CHEN Da-Peng Key Laboratory of Microelectronics Devices&Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of SciencesBeijing 100029

We fabricate p-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors(PMOSFETs)with a HfSiAlON/MoAlN gate stack using a novel and practical gate-last *** the process,SiO_(2)/poly-Si is adopted as the dummy gate stack and replaced by an HfSiAlON/MoAlN gate stack after source/drain *** of the high-k/metal-gate stack formation after the 1000℃source/drain ion-implant doping activation,the fabricated PMOSFET has good electrical *** device's saturation driving current is 2.71×10^(-4) A/μm(VGS=VDS=-1.5 V)and the off-state current is 2.78×10^(-9) A/μ*** subthreshold slope of 105 mV/dec(VDS=-1.5 V),drain induced barrier lowering of 80 mV/V and Vth of -0.3 V are *** research indicates that the present PMOSFET could be a solution for high performance PMOSFET applications.

关键词： drain PMOSFETs PMOSFET

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变电站接地状态电子管理显示系统

电力系统自动化 2006年第24期30卷 88-90页

作者：张占龙李冰高磊蒋涛何为重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室重庆市400044 长治市供电公司山西省长治市046000

为防止在变电站中带电合接地刀闸、挂接地线与带电接地刀闸、接地线合闸送电2类误操作事故,研制了一种变电站接地状态电子管理显示系统。介绍了系统构成、技术特点、软件功能和应用效果。整个系统安装在变电站控制室内,由接地标示牌、... 详细信息

为防止在变电站中带电合接地刀闸、挂接地线与带电接地刀闸、接地线合闸送电2类误操作事故,研制了一种变电站接地状态电子管理显示系统。介绍了系统构成、技术特点、软件功能和应用效果。整个系统安装在变电站控制室内,由接地标示牌、接地状态管理牌和计算机管理软件3部分组成。该系统可便于变电站运行人员、检修人员在进行操作和检修作业时对现场接地状态的掌控,防止发生带电误操作的安全事故。

关键词：变电站接地线接地刀闸接地标示牌防误系统