检索结果-南通市图书馆

Self-assembled formation of long, thin, and uncoalesced GaN nanowires on crystalline TiN films

Nano Research 2018年第1期11卷 565-576页

作者： David van Treeck gabriele calabrese Jelle J. W. Goertz Vladimir M. Kaganer Oliver Brandt Sergio Fernandez-Garrido, Lutz Geelhaar PauI-Drude-lnstitut f~r Festk6rperelektronik Leibniz-lnstitut im Forschungsverbund Berlin e.V. Hausvogteiplatz 5-7 I 0117 Berlin Germany

We investigate in detail the self-assembled nucleation and growth of vertically oriented GaN nanowires by molecular beam epitaxy on crystalline TiN films. We demonstrate that this type of substrate allows for the growth of long and thin GaN nanowires that do not suffer from coalescence, a problem common to the growth on Si and other substrates. Only beyond a certain nanowire length that depends on the nanowire density and exceeds here 1.5 bun, coalescence takes place by bundling, i.e. the same process as on Si. By analyzing the nearest neighbor distance distribution, we identify the diffusion-induced repulsion of neighboring nanowires as the main mechanism limiting nanowire density during nucleation on TiN. Since on Si the final density is determined by shadowing of the impinging molecular beams by existing nanowires, it is the difference in adatom surface diffusion that enables the formation of nanowire ensembles with reduced density on TiN. These nanowire ensembles combine properties that make them a promising basis for the growth of core-shell heterostructures.

关键词： nanocolumn gallium nitride nucleation metal substrate coalescence core-shell

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：