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Theoretical prediction and experimental realization of transition metal doped rutiles as diluted magnetic semiconductors

引用

Rare Metals 2006年第5期25卷 420-426页

作者： gu yousong li jianmin zhan xiaoyuan zhang xiaomei feng ziqi zhang yue Department of Material Physics and Chemistry University of Science and Technology Beijing Beijing 100083 China

First principle calculations have been performed to study the electron structures and magnetic properties of transition metal doped ruilles in order to predict room temperature diluted magnetic semiconductors. Different doping configurailons have been calculated to find the preferred doping site. The ground state energies of both FM and AFM states have been calculated to study the magnetic coupling between the dopants. The calculation results show the Co doped mutile has a Curie temperature of 1438 K. Co doped mille films have been prepared on Si substrate by magnetron sputtering. X-ray diffraction results show that the deposited film is ruille. Hysteresis loop curves measured by vibration sample magnetization show that the film is ferromagnetic at root temperature.

关键词： diluted magnetic semiconductor titanium oxide fast principle calculation magnetron sputtering

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