检索结果-南通市图书馆

Directional emissions from perovskite nanocrystals thin film enabled by metasurface integration through one step spin-coating process

引用

Nano Research 2023年第5期16卷 7646-7653页

作者： Kexue Li Xuanyu Zhang Peinan Ni Juncheng Liu fengyuan lin Xu Man Wenfeng Cai Jianxun Liu Yanjun Liu Rui Chen Zhipeng Wei State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser School of physicsChangchun University of Science and TechnologyChangchun 130022China Department of Electrical and Electronic Engineering Southern University of Science and TechnologyShenzhen 518055China Photonics Laboratory Department of Microtechnology and NanoscienceChalmers University of TechnologyGöteborgSE-41296Sweden

Advances in thin film light-emitting devices have fueled the rapid growth of a new class of solid-state lighting devices,featuring low fabrication cost,high quantum efficiency,broadband spectrum coverage,*** contrast to the conventional inorganic semiconductors that rely on lattice matched high crystalline quality substrate,solution processable thin films eliminate the dependence on the substrate,which is highly desired for the ease and versatility of integrations with foreign *** taking this advantage,this work developed an ultracompact solution to control the directionality of thin film emitters using integrated dielectric metasurface through one step spin-coating *** a proof of concept,directional emissions from perovskite nanocrystal thin film,including collimated light emissions and two-dimensional beam steering,are experimentally ***,our approach,where light emitters were integrated on the back side of substrate after the fabrication of metasurface,judiciously avoids any potential degradation of material optical quality caused by the multi-step ***,it can serve as a generalized scheme to engage the advantageous properties of dielectric metasurface,including the compactness,high efficiency,beam controllability with the emerging thin film light-emitting diodes(LEDs),which is applicable to a wide range of solution processable materials,including organic light-emitting diodes,quantum-dot light emitting diodes,polymer LEDs,and perovskite LEDs,opening up new pathways to develop low-cost and ultra-compact solid state light sources with versatile beams characteristics.

关键词： solid state light source perovskite light-emitting diodes(LEDs) metasurface integrations on-chip beam shaping beam steering

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

Effect of source temperature on phase and metal–insulator transition temperature of vanadium oxide films grown by atomic layer deposition

引用

Chinese Physics B 2020年第10期29卷 433-437页

作者： Bingheng Meng Dengkui Wang Deshuang Guo Juncheng Liu Xuan Fang Jilong Tang fengyuan lin Xinwei Wang Dan Fang Zhipeng Wei State Key Laboratory o f High Power Semiconductor Laser Changchun University o f Science and TechnologyChangchun 130022China

Vanadium oxide films were grown by atomic layer deposition using the tetrakis[ethylmethylamino] vanadium as the vanadium precursor and H2O as the oxide source. The effect of the source temperature on the quality of vanadium oxide films and valence state was investigated. The crystallinity, surface morphology, film thickness, and photoelectric properties of the films were characterized by x-ray diffraction, atomic force microscope, scanning electron microscope, I–V characteristics curves, and UV–visible spectrophotometer. By varying the source temperature, the content of V6O11, VO2, and V6O13 in the vanadium oxide film increased, that is, as the temperature increased, the average oxidation state generally decreased to a lower value, which is attributed to the rising of the vapor pressure and the change of the ionization degree for organometallics. Meanwhile, the root-mean-square roughness decreased and the metal–insulator transition temperature reduced. Our study is great significance for the fabrication of vanadium oxide films by atomic layer deposition.

关键词： vanadium oxide films atomic layer deposition source temperature valence state

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Highly Sensitive Photodetectors Based on WS_(2) Quantum Dots/GaAs Heterostructures

引用

发光学报 2024年第10期45卷 1699-1706页

作者： LI Xianshuai lin fengyuan HOU Xiaobing LI Kexue LIAO Lei HAO Qun WEI Zhipeng State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers College of PhysicsChangchun University of Science and TechnologyChangchun 130022China State Key Laboratory for Chemo/Biosensing and Chemometrics School of Physics and ElectronicsHunan UniversityChangsha 410082China School of Optoelectronics Beijing Institute of TechnologyBeijing 100081China

The performance of the photodetector is significantly impacted by the inherent surface faults in GaAs nanowires(NWs).We combined three-dimensional(3D)gallium arsenide nanowires with zero-dimensional(0D)WS_(2) quantum dot(QDs)materials in a simple and convenient way to form a heterogeneous *** performance enhancements have been realized through the formation of typeⅡenergy bands in heterostructures,opening up new research directions for the future development of photodetector *** work successfully fabricated a high-sensitivity photodetector based on WS_(2)QDs/GaAs NWs *** 660 nm laser excitation,the photodetector exhibits a responsivity of 368.07 A/W,a detectivity of 2.7×10^(12)Jones,an external quantum efficiency of 6.47×10^(2)%,a low-noise equivalent power of 2.27×10^(-17)W·Hz^(-1/2),a response time of 0.3 s,and a recovery time of 2.12 *** study provides a new solution for the preparation of high-performance GaAs detectors and promotes the development of optoelectronic devices for GaAs NWs.

关键词： GaAs nanowires WS_(2) quantum dots photodetectors type-Ⅱenergy band structure

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Perovskite/GaAs-nanowire hybrid structure photodetectors with ultrafast multiband response enhancement by band engineering

引用

Photonics Research 2023年第4期11卷 541-548页

作者： XIAOBING HOU XITONG HONG fengyuan lin JINZHI CUI QIAN DAI QIANLEI TIAN BINGHENG MENG YANJUN LIU JILONG TANG KEXUE LI LEI LIAO ZHIPENG WEI State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers College of PhysicsChangchun University of Science and TechnologyChangchun 130022China State Key Laboratory for Chemo/Biosensing and Chemometrics College of Semiconductors(College of Integrated Circuits)Hunan UniversityChangsha 410082China Department of Laser Photoelectric Technology Southwest Institute of Technical PhysicsChengdu 610041China Department of Electrical and Electronic Engineering Southern University of Science and TechnologyShenzhen 518055China Zhongshan Institute of Changchun University of Science and Technology Zhongshan 442000China

We developed a hybrid structure photodetector combining one-dimensional(1D)inorganic GaAs nanowires and two-dimensional(2D)organic perovskite materials,which can achieve various performance enhancements using a relatively simple *** the optical absorption enhancement of perovskite and the type-II energy band structure formed by the heterostructure,the responsivity and detectivity of the photodetector from ultraviolet(UV)to visible(Vis)wavelengths are significantly enhanced,reaching 75 A/W and 1.49×10^(11)Jones,*** response time of the photodetector was significantly decreased by 3 orders,from 785 ms to 0.5 ms,and the dark current was further reduced to 237 fA.A photodetector was prepared with enhanced responsivity and ultrafast response time in the multiband region from the UV to Vis *** the best of our knowledge,this is the first time to combine inorganicⅢ-ⅤGaAs nanomaterials with organic perovskite materials,which verifies the effective combination of inorganic and organic materials in a mixed *** excellent photoelectric performance of the perovskite/GaAs-nanowire hybrid structure photodetector makes it a potential candidate material for a wide range of photoelectric applications such as multiband photodetection.

关键词： perovskite nanowires inorganic

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

智慧校园无线网络设计与实现

引用

科技创新导报 2020年第35期17卷 11-13页

作者：林逢源广东省国防科技技师学院广东广州510515

随着2019年的9日,Wi-Fi联盟宣布正式启动Wi-Fi6认证计划授权,意味着Wi-Fi6标准IEEE 802.11ax已经开始付诸实用。Wi-Fi技术演进意味着无线局域网网速提升。本文结合广东省国防科技技师学院无线校园网建设的工程实践,采用无线控制器+“瘦... 详细信息

随着2019年的9日,Wi-Fi联盟宣布正式启动Wi-Fi6认证计划授权,意味着Wi-Fi6标准IEEE 802.11ax已经开始付诸实用。Wi-Fi技术演进意味着无线局域网网速提升。本文结合广东省国防科技技师学院无线校园网建设的工程实践,采用无线控制器+“瘦”AP的无线网络解决方案,组建了基于局域网的校园无线网络,经过三年来实践应用证明,该网络运行高速、稳定。

关键词：局域网无线校园网 AP 控制器

来源：

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

快速热退火对InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响

引用

中国激光 2021年第7期48卷 188-195页

作者：申琳唐吉龙贾慧民王登魁房丹方铉林逢源魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光... 详细信息

I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光特性的影响。光致发光光谱测试结果表明,快速热退火会使量子阱结构中垒层、阱层异质界面处的原子互扩散,改善量子阱材料的晶体质量,促使结构释放应力,进而提高了量子阱材料的光学性能。随着退火温度升高,量子阱材料的室温光致发光谱峰位逐渐蓝移,在500,550,600℃退火后,量子阱材料光致发光谱的峰位分别蓝移了7,8,9 meV。通过变温及变功率光致发光光谱测试,确认了样品发光峰的来源,位于0.687 eV的发光峰为局域载流子的复合,位于0.701 eV的发光峰为自由激子的复合。对不同退火温度的样品进一步研究后发现,退火温度的升高降低了材料中局域态载流子复合的比例,在600℃退火温度下局域载流子与自由激子的强度比值降为500℃退火温度下的22.6%,这表明合适温度的快速热退火处理可以有效改善量子阱材料的光致发光特性。

关键词：光谱学光致发光 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱快速热退火局域态

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

外剥内扎注射术治疗环状混合痔临床分析

引用

基层医学论坛 2012年第7期16卷 849-850页

作者：郭斌林逢源大同煤矿集团第二医院山西大同037031

目的探讨外剥内扎注射术治疗环状混合痔的效果。方法回顾性研究我科采用外剥内扎加注射芍倍注射液的方法治疗环状混合痔86例(治疗组),并与传统手术治疗的66例(对照组)进行比较。结果治疗组在术后出血、疼痛、肛缘水肿、痔复发及愈合时... 详细信息

目的探讨外剥内扎注射术治疗环状混合痔的效果。方法回顾性研究我科采用外剥内扎加注射芍倍注射液的方法治疗环状混合痔86例(治疗组),并与传统手术治疗的66例(对照组)进行比较。结果治疗组在术后出血、疼痛、肛缘水肿、痔复发及愈合时间等方面明显优于对照组(P<0.01),随访远期效果佳,取得了满意疗效。结论外剥内扎加注射芍倍注射液治疗环状混合痔方法经济、实用、操作简单,有较好的临床应用价值。

关键词：环状混合痔外剥内扎注射术疗效分析

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

引用

中国激光 2019年第8期46卷 290-296页

作者：刘展林逢源高美方铉房丹王登魁唐吉龙王晓华魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaA... 详细信息

为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaAs衬底样品与未敏化的样品进行对比。结果表明:所制备的CdSe量子点大小均匀,尺寸约为20 nm,且均匀地附着在GaAs衬底上,CdSe量子点/GaAs形成了Ⅱ型能带结构。量子点敏化使GaAs衬底表面的载流子浓度升高。通过荧光光谱测试对各发光峰的来源进行了分析。测试数据显示,与敏化前相比,敏化后的GaAs衬底带边发光增强了2.25倍,缺陷发光增强了3倍。

关键词：光谱学 CdSe量子点敏化 GaAs 光致发光 Ⅱ型能带结构

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管的模拟分析

引用

中国激光 2021年第17期48卷 10-16页

作者：崔星宇林逢源张志宏唐吉龙方铉房丹王登魁李科学魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。... 详细信息

提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。采用器件仿真器Silvaco对器件进行建模,仿真计算了新结构器件的能带结构、电场分布、暗电流、光响应电流和增益等。新结构器件可以获得较低的噪声系数k(k=α/β,其中α、β分别为空穴与电子的电离系数),在30 V电压下,k=0.15。与常规的SACM InP APD相比,分析结果表明,新结构APD器件具有了较好的噪声特性。

关键词：材料 InGaAs/InP 碰撞电离工程(I^(2)E) 吸收区-电荷区-倍增区分离电离阈值能量过剩噪声

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响

引用

中国激光 2019年第4期46卷 124-128页

作者：郭德双陈子男王登魁唐吉龙方铉房丹林逢源王新伟魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 长春理工大学材料科学与工程学院吉林长春130022

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.8... 详细信息

研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10^(19) cm^(-3)和4.2 cm^2·V^(-1)·s^(-1),之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300℃升高到600℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。

关键词：材料光学性能电学性能铝掺杂氧化锌薄膜退火原子层沉积技术

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：