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瓦里安图像引导系统锥形束CT图像CT值稳定性分析

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医疗装备 2024年第3期37卷 3-7页

作者：罗丹何健梁小芳陈凤舞彭黎明曾佳宜春市人民医院江西宜春336000

目的连续监测瓦里安Trilogy直线加速器图像引导系统锥形束CT图像CT值,分析锥形束CT图像CT值的稳定性。方法2021年9月至2022年8月期间通过包含9种不同密度插件的Catphan604模体,每月定期使用Trilogy直线加速器的kV级锥形束CT(kV-CBCT)于... 详细信息

目的连续监测瓦里安Trilogy直线加速器图像引导系统锥形束CT图像CT值,分析锥形束CT图像CT值的稳定性。方法2021年9月至2022年8月期间通过包含9种不同密度插件的Catphan604模体,每月定期使用Trilogy直线加速器的kV级锥形束CT(kV-CBCT)于临床常用的4种扫描协议(标准剂量头部SDH、高质量头部HQH、盆腔Pelvis和低密度胸部LDT)下扫描获得图像,并对获得的48个kV-CBCT图像序列进行分析,基于RadiAnt软件获取CT值,记录4种协议下Catphan604模体中9种不同密度插件的平均CT值,并参照标准值进行数据分析。结果瓦里安Trilogy直线加速器图像引导系统锥形束CT图像CT值稳定性较好,CT平均值比较,差异无统计学意义(P=0.204、0.170、0.113、0.140),CT值-电子密度曲线重合度较高。结论瓦里安Trilogy直线加速器图像引导系统锥形束CT图像CT值稳定,可考虑后期用于肿瘤自适应放射治疗(ART)中的剂量计算。

关键词：图像引导锥形束CT CT值稳定性

Effects of Conditional PDI Knockout in DRG Nociceptor Neurons on Mice Pain Behaviors

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Effects of Conditional PDI Knockout in DRG Nociceptor Neuron...

中国神经科学学会第十二届全国学术会议

作者： Yongxue zhang Zeyao Pu fengwu chen Yating An Wei Zhang Yi Wu Hailin Zhang Xiaona Du Deparment of Pharmacology Hebei Medical University Cyrus Tang Hematology Center Jiangsu Institute of Hematology Collaborative Innovation Center of Hematology Soochow University

Objective: PDI（PDIA1） is the prototype member of protein disulfide isomerases（PDIs） family. We found in the preliminary study that PDI（PDIA1） is highly expressed in neurons of dorsal root ganglia（DRG）. The present study is to explore the role of PDI in pain. Methods: We first used Cre-lox P recombinase system to conditional knockout PDI（PDI CKO） in DRG neurons. The PDI CKO mice were generated by crossing SNS-Cre mice with PDIfl/+ mice and efficiency of PDI conditional knockout in DRG was tested by immunofluorescence imaging and western blotting. Then we compared the pain behaviors of WT and PDI CKO mice under basic condition, acute pain and chronic pain situation. Results: The expression of PDI in DRG tissue of nociceptors-specific PDI knockout mice was markedly decreased. Compared to the WT mice, PDI CKO mice show increased mechanical pain thresholds. The nocifensive behaviors induced by a plantar injection of bradykinin were significantly reduced in PDI CKO mice. And the thermal hyperalgesia induced by a plantar injection of CFA was increased in PDI CKO mice.Conclusions: Conditional knockout PDI from nociceptive DRG neurons significantly reduces the sensitivity to mechanical stimulation and alleviates the pain behaviors of acute and chronic pain in mice. PDI should play an important role in generation of nociceptive sensation.

关键词： Protein disulfide isomerases PDI SNS DRG pain

来源： cnki会议评论

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乳化交联法制备聚乙烯醇微球的工艺研究

材料导报 2015年第4期29卷 77-81页

作者：董佳群陈凤舞滕淑华中国矿业大学材料科学与工程学院徐州221116

采用乳化交联法,以含有表面活性剂的植物油为连续相（油相）,聚乙烯醇（PVA）水溶液为分散相（水相）,戊二醛为交联剂,盐酸为催化剂,制备了PVA微球。利用FT-IR、SEM及粒度分析仪等设备对微球的组成、形貌及粒径分布进行了测试,并考察了... 详细信息

采用乳化交联法,以含有表面活性剂的植物油为连续相（油相）,聚乙烯醇（PVA）水溶液为分散相（水相）,戊二醛为交联剂,盐酸为催化剂,制备了PVA微球。利用FT-IR、SEM及粒度分析仪等设备对微球的组成、形貌及粒径分布进行了测试,并考察了几种关键工艺参数对微球制备的影响。结果表明,在PVA溶液浓度为5%,表面活性剂采用2 g 脱水山梨醇单油酸酯（Span 80）,乳化温度为50 ℃,1 mol/L稀盐酸催化戊二醛交联的条件下,可以获得球形规整、表面光滑且分散性好的PVA微球。粒径分析结果显示,所得PVA微球的平均粒径约为25 μm,且分布在15-45 μm范围内的微球约占其总量的80%。

关键词：聚乙烯醇微球工艺参数乳化交联法

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高性能分子束外延用束源炉的研制

电子工业专用设备 2023年第4期52卷 35-37,45页

作者：龚欣陈峰武吕文利陈丹周亮龚肖湖南烁科晶磊半导体科技有限公司湖南长沙410114

介绍了国产分子束外延设备的最新研制进展,自主设计制造的标准束源炉、掺杂束源炉、砷阀控裂解源、磷阀控裂解源最高工作温度1300℃,控温精度优于±0.1℃,温度稳定性优于±0.1℃。并采用专利技术一种坩埚可伸缩的束源炉实现在不破坏生... 详细信息

介绍了国产分子束外延设备的最新研制进展,自主设计制造的标准束源炉、掺杂束源炉、砷阀控裂解源、磷阀控裂解源最高工作温度1300℃,控温精度优于±0.1℃,温度稳定性优于±0.1℃。并采用专利技术一种坩埚可伸缩的束源炉实现在不破坏生长室真空环境的前提下补充源料,有效减少停机时间,提高工艺效率。

关键词：分子束外延束源炉阀控裂解源可伸缩源

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关于对实施《种子法》行政处罚量化的商榷

种子世界 2005年第11期 16-17页

作者：陈凤武吉林省延边州种子管理站

按照行政处罚公正、公开的原则,合理实施《中华人民共和国种子法》(以下简称《种子法》)处罚各类种子案件,使涉案当事人都能理解和支持,提高查办种子案件效率,更好地执行《种子法》,维护《种子法》的法律严肃性,有必要对实施《种子法》... 详细信息

按照行政处罚公正、公开的原则,合理实施《中华人民共和国种子法》(以下简称《种子法》)处罚各类种子案件,使涉案当事人都能理解和支持,提高查办种子案件效率,更好地执行《种子法》,维护《种子法》的法律严肃性,有必要对实施《种子法》相关条款处罚进行量化。如《种子法》第五十九条、六十条、

关键词：《种子法》额度违法所得行政处罚法律制裁罚款

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硅基低压MOSFET器件漏电失效分析

电子工艺技术 2023年第3期44卷 47-49页

作者：陈丹旻吕文利陈龙陈峰武龚欣龚肖邵义东湖南烁科晶磊半导体科技有限公司长沙410111 中国电子科技集团公司第四十八研究所长沙410111

硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域,MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法,该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜... 详细信息

硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域,MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法,该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜层结构失效。本文结合沟槽MOSFET的制备流程,阐明了由于多晶硅淀积工艺异常及过量刻蚀所导致的管芯边缘区域漏电失效并分析了其中原因,列举了改善及预防措施细则,为进一步优化刻蚀沉积设备提供了工艺依据。

关键词：功率器件漏电测试沟槽工艺刻蚀

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考虑断层破碎带影响的隧道结构地震反应研究

震灾防御技术 2024年第1期19卷 140-150页

作者：董捷郑英豪李兆琦陈洪运宫凤梧闫鑫刘洋河北省土木工程诊断、改造与抗灾重点实验室河北张家口075000 河北建筑工程学院土木工程学院河北张家口075000 河北省地矿局第三地质大队河北张家口075000

为研究跨断层隧道在渗流-地震耦合作用下的动力响应,以宣绩铁路周湾村隧道穿越富水断层为背景,基于Biot固结动力方程,采用有限差分软件FLAC 3D进行多场耦合数值计算。本文主要分析了断层破碎带宽度对隧道衬砌特征点加速度、孔压、位移... 详细信息

为研究跨断层隧道在渗流-地震耦合作用下的动力响应,以宣绩铁路周湾村隧道穿越富水断层为背景,基于Biot固结动力方程,采用有限差分软件FLAC 3D进行多场耦合数值计算。本文主要分析了断层破碎带宽度对隧道衬砌特征点加速度、孔压、位移及应力响应规律的影响。研究结果表明,对隧道结构不同位置而言,加速度响应规律一致,均为正常段加速度<破碎带加速度<交界面加速度。耦合场作用下,地层与破碎带交界处围岩位移及应力均发生突变。随着断层宽度的增加,应力及位移突变范围有所增大,孔隙水压力峰值也进一步扩大。此时隧道受压区增大,衬砌结构易发生局部破坏。通过加设注浆层的方式,可有效减少耦合场作用引起的拱圈应力分布不均现象。

关键词：铁路隧道断层破碎带流固耦合动力模型地震响应 Biot固结动力方程

基于MOCVD高/低温调制生长AlN模板材料方法

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电子工艺技术 2021年第4期42卷 232-235页

作者：龙长林陈峰武陈洪中国电子科技集团公司第四十八研究所湖南长沙410111 中国电子科技集团公司第二研究所山西太原030024

宽禁带半导体紫外光电器件和功率半导体器件的发展对AlN材料和高Al组分AlGaN材料有着迫切的需求。由于缺乏大尺寸AlN同质衬底,基于异质外延生长的AlN模板材料成为了宽禁带半导体器件制造的最佳选择。但是,由于Al原子表面迁移能力较差,Al... 详细信息

宽禁带半导体紫外光电器件和功率半导体器件的发展对AlN材料和高Al组分AlGaN材料有着迫切的需求。由于缺乏大尺寸AlN同质衬底,基于异质外延生长的AlN模板材料成为了宽禁带半导体器件制造的最佳选择。但是,由于Al原子表面迁移能力较差,AlN外延材料表面易呈现岛状生长模式,导致AlN模板材料的晶体质量和表面质量较差,严重影响了宽禁带半导体器件的实用化进程。基于自主研制的高温MOCVD设备,采用多周期高/低温调制生长技术,制备出了厚度达2μm的AlN模板材料。测试结果显示:(002)和(102)X-ray摇摆曲线半高宽分别为71arcsec和632arcsec,表面粗糙度RMS(5μm×5μm)达0.39 nm,101.6 mm晶圆膜厚均匀性为2.13%。研究表明基于国产装备生长的AlN模板材料具备较为优异的质量,可为我国新一代半导体产业发展提供有力的支撑。

关键词： AlN 高温MOCVD 晶体质量表面质量

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PG电机在EFT测试时的抗干扰控制

价值工程 2010年第15期29卷 207-208页

作者：陈凤武陶梦春珠海格力电器珠海519070

一般PG电机基本采用PWM过零调节技术来实现速度控制,在EFT干扰下,通过改善过零控制和反馈控制来抑止EFT干扰引起的电机转速波动和电机本体振动。

关键词： PG-电机 EFT 抗干扰 PWM